透明导电Int;,2gt;Olt;,3gt;Sn和ZnOA1薄膜的制备及其特性研究.pdfVIP

重庆人学硕士论文 中文摘要 摘要 ／透明导电氧化物薄膜材料具有大的载流子浓度和光学禁带宽度，因而表 现出诜良的光电特性，如低的电阻率和高的可见光透过率等。目前此类材料 性而成为ITO薄膜的潜在替代材料，而且具有原材料来源丰富、成本低廉、 无毒以及在氢等离子体中具有较好的稳定性等优点。 多种工艺可以用来制备透明导电薄膜，如磁控溅射、真空反应蒸发、化 学气相沉积，溶胶．凝胶法以及脉冲激光沉积等。其中磁控溅射工艺具有沉积 速率高、均匀性好等优点而成为一种广泛应用的成膜方法。士 本研究课题以氧化铟锡靶和氧化锌铝靶为靶材，采用射频磁控溅射工艺 为10％和3％，成膜过程中研究了各工艺参数对其结构和光电特性的影响。另 外采用了在氩和氧的混合气氛中共溅射锌靶和铝靶的方法来制备铝掺杂氧化 锌薄膜，铝的掺杂量由施加在铝靶上的功率大小决定。 由于sn4+对In3+的置换而出现晶格收缩现象，薄膜的最小电阻率和可见光范 存在残余应力使衍射峰位置与体材相比向低角度方向移动；高温沉积的ZAO薄膜 经热处理后具有c轴择优取向的六角纤锌矿多晶结构，晶粒垂直于衬底柱状生长， 薄膜的最小电阻率和可见光透过率分别为7．5×104Qcm和85％。寸 双靶共溅沉积ZAO薄膜时，氧流量和基片温度是影响薄膜特性的重要因 素，随着铝靶射频功率增加，由于铝的掺杂使薄膜表面方块电阻降低，当功 率为120W时，沉积的薄膜具有最小的电阻值。当功率大于120W时，功率 进一步增加，薄膜的导电性变差。 关键词：透明导电薄膜jIn203：sn?ZnO：AI，、磁控溅射?工艺参数 重庆人学硕士论文 英文摘要 ABSTRACT Dueto carrierconcentrationand band conductive big opticalgap，transparent oxidethinfilmsexhibit andelectrical aslow outstanding properties，such optical and transmittanceinthevisibleetc．At kindof resistivityhigh range present，this material include and system In203，Sn02，ZnOdopantsystemIn203：Sn(ITO)， them，Sn02(TO)and In203：Sn(ITO) Sn02：Sb，Sn02：F，ZnO：AI(ZAO)etc．Among filmshavebeen usedin andsolarcellas widely liquidcrystaldisplay transparent and ZnOfilmsshow electrical and electrode．A1一doped optical good properties asa