纳米二氧化钛光化剂的制备及其光催化性能研究.pdfVIP

————————————————鱼堕——』———— —_—_———-————_-—_————_——__———————————_————～一 摘 要 本文以无机盐为原料，制备了纳水级TiO，比傣化刺。以TiOSO一、0坂料， ICP、TG·DTA、 由水解沉淀法制备了纳米TiO：粉末，经4iH温度热处理后t TEM、BET、XRD研究其形成过程、颗粒形态及晶相组成。研究结果表明， TiO，的纯度达99％以上，反应溶液pH、热处理温度对粒径、rI^柑纠汁勾有很大 39m：／g、粒径lOhm序fI的纳水 影响。在pH=5条件下得到比表面积为10l 48m二／g、牲住30hm’：厶的-Ic,, TiO，粉末：在pH=lO条件下得到比表面积为95 孔纳米TiO：粉末。研究表明在热处理过程q，750。C时丌始的合红“一h¨晴々变川 晶粒长大有很大的促进作用。 t‘ 、j负载型光催化剂是本论文的研究方向，比催化剂的负载力法x寸光雌化性能 的密响致关重要。文中探讨了水解镀膜法、，}女浮体沉积法和粘纳剂法7：}光催化 剂的负载方法；研究厂粘结剂负载法制备的托倦化制的)匕催化，r命莉㈠，性化匀=： 件。 在TiO，光催化作用中，广泛的探时了光催化氧化有机污染物的机婵。在、 380nm的紫外灯照射下，在半导体的导带和价带各自形成电J，和空八。这些 带电物种或以热的形式释放吸收能量，或者辽移到半导休表面。窀穴址很强的 氧化剂，它能够氧化大部分有机化合物。存：小·}·，半导体表面}≯琏自…碡的… 现归因于界面电子迁移捕获守穴。羟基化和。I、八氰化难氧化反心进行帕t要途 径。以粘结剂法制备了负载型TiO：光催化剂。研究了晶型种类、热处j世温度、 晶粒尺寸、氧气的通入对光催化性能影响的桃理。初步探讨了影响光催化氧化 能力的因数，指出了光催化氧化能力与禁带宽度和迁移到表面的空穴数量有 关，给出了定性探讨光催化氧化能力的表达武： E，∞Z(,t)f,XIiDA(s) 最厦j，，初步研究了Ti02光催化剂的掺杂，探讨了TiO：光催化L卉4应用前 景V 关键词：水解沉淀法；纳米二二氧化钛；光催化氧化作用；负载批9光催化 1 剂：掺杂 一一—坐唑L—————一—— Abstract was salt titania byInorganic nanometer Inthisarticle prepared photocatalysis Nanometer atdifferent Ti02 wasannealed temperature powders method．and hydrolyze The andstudied andBET from lCp,TG—DTA，XRD，TEM