高分子基底上氟膜的制备、结构和性能.pdfVIP

摘 要 本文利用射频磁控溅射的方法，以聚四氟乙烯(PTFE)为靶材， 在聚酰亚胺fPI)和聚丙烯(PP)基底上沉积氟碳膜，对不同工艺条 件(放电功率、真空度、处理时间)进行了探讨。利用扫描电镜 的生长情况和表面形貌，初步探讨了成膜机理以及表面形貌与工艺条 件的关系。从sEM的照片上可以看出：随着功率和压力的提高，氟 碳膜颗粒更加密集，粒径变小且分布均匀。随着时间的增加，成膜颗 粒先连成岛，然后勾连成膜，然后逐层生长成多层膜。AFM的测试 结果表明在PI基底上沉积的氟碳膜呈现一种特殊的多叉状粒子，而 内，在PI基底上氟碳膜的沉积速度较为均匀，在PP基底上的沉积 速度较慢。 用X．射线光电子能谱(XPS)研究了氟碳膜表面结构随功率和 压力的变化规律，发现氟碳比随功率的增加而减小，随压力的增加而 增大。最后研究了不同功率、压力、溅射时间对氟碳膜憎水性能的影 响，并测量了氟碳膜的接触角，发现接触角随功率的增加而减小，随 压力的增加而增大。时间对接触角的影响较为复杂，在30分钟内， 接触角随溅射时间的增加而增大，30分钟以后，接触角基本不变。 关键词：射频磁控溅射、PTFE、氟碳膜、成膜机理、表面形貌、表 面结构、接触角、扫描电镜、透射电镜、x．射线光电子能 谱。 Abstract F1u0rocarbonFilmsare red fadi0 prePltby freqliencY r011 ritet The mag sPuttering U as are sited0nto is sed Films targets．FlttorocarbondeP0 strat rene(PP)subes． P01YPrOPY P01Yimide(PI)and re Vari0珏s eonditi0建s sPeetiVelY． diseharge (VOItage， cuunl discussed．Therowth va andtreatitime、are rlg g smofflU0focarbonfilms8re studiedand mecha娃i i11itiallY r mean$ thei are observed of rllorph0109Y by Scaniling E1ectr011 F0rceMictO Microscopy(SEM)、Atom Transmissio建E|ectrorlMier0 (TEM)。 Fromthe and scopy s 0fSEM．Wef01,111d the