SJ_T11199-2015压电石英晶体片.DOCVIP

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SJ/T 11199—XXXX ICS 31.140 代替 SJ/T 11199—1999 L 21 备案号: 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 压电石英晶体片 Piezoelectric quartz crystal blank (报批稿) (本稿完成日期:2014 年 12 月 15 日) XXXX - XX - XX 发布 XXXX - XX - XX 实施 中 华 人 民 共 和 国 工 业 和 信 息 化 部 发 布 SJ/T 11199—XXXX 前言 本标准按照 GB/T 1.1—2009 给出的规则起草。 本标准代替 SJ/T 11199—1999《压电石英晶体片》,与 SJ/T 11199—1999 相比,主要技术变化如下: ——石英晶体毛片改称为石英晶体毛坯片(见 3.1,1999 年版的 3.1); ——石英晶体厚度片增加对应词(见 3.2,1999 年版的 3.2); ——增加石英晶体方片的术语和定义 (见 3.3); ——石英晶体频率片改称为石英晶体研磨片,增加对应词(见 3.4,1999 年版的 3.3); ——完善石英晶体成品片定义(见 3.5,1999 年版的 3.4); ——修改石英晶体条片的定义,不再局限于仅适用 SMD 元器件(见 3.5.1,1999 年版的 3.5); ——增加石英晶体圆片和矩形片的术语和定义(见 3.5.2 和 3.5.3) ——增加边缘缺损、破边、破角、裂纹和划痕的术语和定义(见 3.6,3.7,3.8,3.9,3.10); ——增加石英晶体片平行度的术语和定义(见 3.5.11); ——删去对晶片制造厂原料证明文件的要求(见 4.1,1999 年版的 4.1.2); ——毛坯片破边长度小于 1.5mm 改为小于 0.5mm,深度小于 1.0mm 改为小于 0.5mm,破角处深度小 于 1mm 改为“弧形缺损的尺寸和数量应符合详细规范或合同的规定,尖角形缺损及破角处深 度应小于 0.5 mm”;“破边和破角处不应有裂隙”和石英晶体毛坯片表面“不应有明显的切 割痕迹”改为“应无裂纹和目视可见的切割痕迹” (见 4.2.1,1999 年版的 4.2.1); ——厚度片破边长度小于 1mm 改为小于 0.5mm,破角处深度小于 1mm 改为“弧形缺损的尺寸和数 量应符合详细规范或合同的规定,尖角形缺损及破角处深度应小于 0.5 mm”;“破边和破角 处不应有裂隙”;和石英晶体厚度片表面“不应有切割刀痕” 改为“应无裂纹和划痕” (见 4.2.2,1999 年版的 4.2.2); ——增加方片的外观要求(见 4.2.3); ——研磨片和成品片的外观要求分条描述,成品片的外观缺陷增加图 1(见 4.2.4 和 4.2.5,1999 年版的 4.2.3); ——毛坯片长宽尺寸允差为±0.5mm 改为“X 向尺寸允差为±0.1mm;Z 向尺寸允差为±0.2mm,厚 度允差为±0.015mm 或符合详细规范或合同的规定;X 轴向平行度允差小于 0.05mm 改为“小 于 0.015mm 或符合详细规范或合同的规定”(见 4.3.1); ——厚度片矩形片长宽尺寸允差为±0.03mm 改为:X 向尺寸允差为±0.1mm,Z 向尺寸允差为± 0.2mm;厚度允差为±0.01mm 改为±0.005mm;增加方片的要求并增加图 2;增加圆片倒缺口 的轴向标识要求及缺口径向尺寸允差;增加厚度切变模式的石英晶体片不直接测量厚度而测 量频率的选择(见 4.3.2,1999 年版的 4.3.2); ——研磨片和成品片增加条片的尺寸允差,增加圆片倒缺口的轴向标识要求,矩形片长宽尺寸允 差为±0.03mm 改为 0~-0.015mm;厚度允差为±0.01mm 改为±0.005mm;增加厚度切变模式 的石英晶体片不直接测量厚度而测量频率的选择(见 4.3.3,1999 年版的 4.3.3); ——晶片切角允差的 Z 轴角度允差五个级别为±0.5′±1′±2′±3′±5′改为±15″,±30″, ±45″,±1′,±2′(见 4.4,1999 年版的 4.4); ——频率允差的要求增加石英晶体厚度片和方片(见 4.5,1999 年版的 4.5); ——删去内部缺陷章条,籽晶和双晶合并到成品片的外观要求中(1999 年版的 4.6); I SJ/T 11199—XXXX ——在灯光下目检改为“灯光下目检或规定倍数放大镜或显微镜检查”;增加有争议时的测量方 法;增加“石英晶体片腐蚀后或抛光后在灯光下目检双晶和籽晶。”(见 5.1,1999 年版的

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