TFT制作工艺.docVIP

一、引言 TFT技术是采用新材料和新工艺的大规模半导体集成电路技术。TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上制作大规模半导体集成电路，通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的加工制造集成电路。采用非单晶基板大幅度地降低了成本。 在大面积的玻璃或塑料基板上制造控制液晶开关性能的TFT是大规模IC技术重大发展。以分辨率为SXGA（1280×1024）的16.1英寸的TFT-LCD为例，在对角线为300㎜×400㎜玻璃基板上制造近800万个TFT，对生产环境的要求（净化度为100级），对原材料纯度的要求（电子特气的纯度为99.999985%），对生产设备和生产技术的要求都是对现代工业技术的挑战，特别是制造大面积多晶硅TFT的激光退火技术更是对精密控制技术的挑战。随着九十年代初TFT技术的成熟，彩色液晶平板显示器迅速发展， 10年左右的时间，TFT-LCD迅速成长为主流显示器，开创了人类一个新的技术时代。 TFT阵列技术之所以得到迅速发展是因为它具有非常突出的三大优点： 1、大面积，规模化生产特性好； 九十年代初第一代大面积玻璃基板（300mm×400mm）TFT-LCD生产线投产，到2002年玻璃基板的面积已经扩大到了1100 mm×1250mm，最近一次制造16块20英寸TFT模块的1370mm×1770mm的玻璃基板的第6代生产线也进入了设计阶段。4代以上的TFT生产线基本上无人操作，全封闭的自动化大生产，成品率达到90%以上。TFT-LCD的规模化生产特性是其他显示器无法比拟的。 2、高集成度，功能强大； 分辨率为SXGA（1280×1024）的16.1英寸的TFT阵列非晶硅的膜厚只有50nm，随着低温多晶硅技术的成熟，现在人们开始把驱动芯片集成到玻璃基板上，也考虑把整个控制系统集成到玻璃基板上，CHIPS ON GLASS，SYSTEM ON GLASS，其IC的集成度，对设备和工艺技术的要求，技术难度都超过传统的LSI。整个TFT阵列功能更强大，这是传统的大规模半导体集成电路所无法比拟的。 3、低成本，工艺灵活，应用领域广泛； 玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题，为大规模半导体集成电路的应用开拓了广阔的应用空间。除了采用溅射、CVD、MCVD、PECVD等传统工艺成膜以外，激光退火技术也开始应用，既可以制作非晶膜，多晶膜，也可以制作单晶膜。不仅可以制作半导体硅膜，也可以制作其他的-Ⅵ族和-Ⅴ族半导体膜薄膜。TFT阵列技术是液晶、有机和无机薄膜电致发光等新一代平板显示器的技术基础。 TFT的制造技术涉及半导体科学的基础研究，材料科学的研究，自动化系统控制技术的研究，精密制造技术的研究等多学科的发展，是当代光电子科学技术的发展热点。 TFT-LCD是非常典型的规模效益型的现代化高技术产业，没有规模就没有效益，我们这里说的制造工艺是指大规模生产的制造工艺。为了更好地理解工艺过程我们首先先介绍TFT—LCD的元件结构及其特点，然后再介绍制造工艺，关于制造工艺对元件特性的影响放在TFT阵列设计技术中讨论。 二、TFT-LCD元件的结构及特点 TFT-LCD是以TFT为控制元件，液晶为介质的光电子显示器件。常见的TFT结构主要有平面型和叠加型两类。 平面型主要用于LCOS器件，它是硅单晶片上制作液晶的控制元件，工艺和结构就是大规模集成电路的技术。 叠加型的TFT主要用于玻璃基板或塑料基板的液晶显示器和有机电致发光器件。我们这里讨论的就是这一类的器件。 叠加型的TFT结构通常又分为顶栅结构和底栅结构两种，而底栅结构又分为刻蚀保护型和背沟道刻蚀型两种。 ? 栅极 栅极绝缘层（SiNx） 玻璃基板 像素（ITO） 保护层（SiNx） 保护层（SiNx） 源极/漏极 （AlTa/Al/Cr） 源极 漏极 栅极 图1、单管底栅TFT的结构 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 图1是单管底栅TFT的结构。上方是TFT的两张电子显微镜照片。下方是单管底栅TFT的结构示意图。TFT主要由栅极、栅极绝缘层（SiNx）、非晶硅层、n+非晶硅层、源极和漏极和保护层构成。 栅极一般采用金属铬（Cr）、铬的合金材料或钼钽(MoTa)合金、铝（Al）以及铝合金等材料制作，厚度d = 180 nm，方块电阻Rs = 0.98Ω/□以下。 栅极绝缘层一层的，也有两层的结构。一层可以是SiO，SiNx或AlO，厚度是:d = 175nm，第二一般采用层氮化硅（SiNx），厚度:d = 300nm。 非晶硅层或多晶硅层是TFT的核心层，我们把它称作有源层，膜厚为d = 50nm。器件的电学特性和功能主要是由这一层材料的质量决定的。 n+非晶