2.6场效应管及其放大电路.pptVIP

2.6 场效应管及其放大电路 一、场效应管(FET) ( Field Effect Transister） （1）栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 （2）漏-源电压对漏极电流的影响 （3）栅-源电压对漏极电流的影响（夹断发生后） 输出特性 转移特性 2. 绝缘栅型场效应管(MOS) 增强型MOS管uDS对iD的影响 （2）耗尽型MOS管 （3）MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 二、场效应管静态工作点的设置与静态分析 1. 基本共源放大电路 分压式偏置电路 三、场效应管放大电路的动态分析 1. 场效应管的交流等效模型 2. 基本共源放大电路的动态分析 3. 基本共漏放大电路的动态分析 基本共漏放大电路输出电阻的分析 * * 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点 的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 源极（s）、栅极（g）、漏极（d） 对应 晶体管的 e、 b、 c； 1. 结型场效应管（JFET） 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 单极型晶体管 以N沟道为例 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 UGS（off）夹断电压 工作原理 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） D’ g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 漏极饱和电流IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区， uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 为什么必须用转移特性描述uGS对iD的控制作用？ uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 (1)增强型管 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 大到一定值(UGS(th)) 才开启 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。 N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 刚出现夹断 uDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通， 在uGS ＜ uGSOFF时反型层作用消失，管子截止。 与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 夹断电压 图形见教材P49 自给偏压电路 由正电源获得负偏压 称为自给偏压 哪种场效应管不能采用这种电路形式设置Q点？ 为什么加Rg3?其数值应大些小些？ 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？ 即典型的Q点稳定电路 近似分析时可认为其为无穷大！ 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 与晶体管的h参数等效模型类比： 分析计算： （1）进行静态分析； （2）画出共源放大电路的 交流小信号等效电路。 （3）求动态参数 例：分压式共源放大电路 计算Q点： UDSQ =VDD- IDQ (RD + Rs ) 再求： 若gm=5mA/V，则Au=-50 （3）动态分析 （2）等效模型电路 若Rs=2kΩ，gm=2mS，则Ro=400Ω