3薄膜制备2蒸镀.pptVIP

求职应注意的礼仪 求职时最礼貌的修饰是淡妆 面试时最关键的神情是郑重 无论站还是坐，不能摇动和抖动 对话时目光不能游弋不定 要控制小动作 不要为掩饰紧张情绪而散淡 最优雅的礼仪修养是体现自然 以一种修养面对两种结果 必须首先学会面对的一种结果----被拒绝 仍然感谢这次机会，因为被拒绝是面试后的两种结果之一。 被拒绝是招聘单位对我们综合考虑的结果，因为我们最关心的是自己什么地方与用人要求不一致，而不仅仅是面试中的表现。 不要欺骗自己，说“我本来就不想去”等等。 认真考虑是否有必要再做努力。 必须学会欣然面对的一种结果----被接纳 以具体的形式感谢招聘单位的接纳，如邮件、短信 考虑怎样使自己的知识能力更适应工作需要 把走进工作岗位当作职业生涯的重要的第一步，认真思考如何为以后的发展开好头。 Thank you 例：镀银薄膜 银是最容易蒸镀的的物质之一 2、安装衬底； 3、真空室抽气 机械泵----扩散泵 p=10-4Pa 4、移动挡板，使蒸发的银原子不直接到衬底，而直接到达膜厚计；衬底加热； 5、慢慢增大蒸发源电流；（预热） 蒸发源，银处于赤热状态，银熔化形成颗粒。--继续升高温度—银球状颗粒表面浮现“渣斑”，并不停地旋转。 由于附着在蒸发源、银上的气体放出使真空度降低。（除气）为了减小银的损耗，经过适当时间后，减小蒸发源电流，使蒸发量减小到膜厚计测量的灵敏度之下，直到真空度恢复。 6、增大蒸发源的电流，使银的蒸发率达到希望值。打开挡板，使银原子直接到达衬底。读出膜厚计的指示值，当衬底上薄膜蒸镀到预计膜厚时关闭挡板，切断蒸发源电流。 7、使衬底缓慢降温。待到衬底温度降到室温，打开真空室，取出衬底。 步骤： 1、放入蒸发物质---银； 0、清洗衬底 5）合金的蒸发与蒸镀 蒸发 合金中原子间的结合力小于化合物中不同原子间的结合力，因此合金中各元素原子的蒸发过程可以看作各自独立的过程，就像它们在纯元素蒸发时一样。 不同的金属蒸发速度不同，合金成分蒸发时随时间而变化。因此，薄膜的成分亦随时间改变。 闪蒸蒸镀法： 把合金做成粉末，均匀的落入加热器中，使其一个一个在一瞬间完全蒸发从而保证薄膜的组分与原料的组分一致。 双蒸发源蒸镀法： 6）化合物的蒸发、与蒸镀 蒸发： 蒸发时化合物可能分解； 在气相状态下，可能发生化合物各组元间的 化合与分解过程； 沉积后的薄膜成分可能偏离原化合物的化学 组成； 反应蒸镀法： （主要用于制备高熔点化合物薄膜） 以蒸镀SiO2为例 双蒸发源蒸镀法（三温度法、分子束外延法）： ---主要用于制备单晶半导体化合物（III-V族）薄膜 一般合金的两种金属蒸气压差别不大，1000K时Co，Fe，Ni的蒸气压约为10-10Pa； Cr—10-9Pa；Au，Pd—10-8Pa III-V族的化合物中V族元素的蒸气压比III族元素大得多。 制备III-V族半导体化合物单晶薄膜时，衬底温度必须保持在几百度。此时V族元素的蒸气压比III族元素高出很多，V族元素不会单独凝结在衬底上。如果存在III族元素，在适当的压力、温度条件下，V族元素的蒸气与III-V族化合物的固体保持平衡共存。因此制备III-V族化合物的单晶薄膜时必须严格控制衬底、和两个蒸发源的温度。 这就是所谓的三温度法，分子束外延法就是在三温度法的基础上发展起来的。 1、生长速率一般为0.1~10单原子层/s。通过控制快门闭启，可以实现喷射束流的快速切换，已达到层厚、组分、掺杂的原子尺度的控制； 2、与常规的外延生长方法相比，MBE生长的衬底温度较低（生长GaAs时，T=550~6500C），可以减少异质结界面的互扩散，实现突变结； 分子束外延技术的特点： 3、分子束外延为台阶流生长或二维生长模式，可以使外延层表面及界面具有原子级平整度； 4、反射式高能电子衍射仪（RHEED）的配置，实现了原位实时监测，可以提供表面形貌、生长速率、合金成分的信息； 分子束外延技术的特点： 5、利用掩模技术，可在衬底上实现选区外延； 6、用其他的外延生长方法无法实现的某些非固溶材料，可以用MBE方法实现； 7、利用微机控制可以实现外延生长的全自动化，为分子束外延设备的生产型发展奠定了基础； 8、MBE设备的超高真空环境为各类表面分析方法提供了研究生长过程的条件； 反射式高能电子衍射仪（RHEED） 1983年Neave，Van Hove 首次在MBE外延生长过程中观察到高能电子衍射镜面反射电子束强度的衰减振荡，此振荡周期严格的对应一个单原子层的生长。 镜面反射 漫反射 元素的蒸气压 由克劳修斯-克莱普朗方程，物质的平衡蒸气压p随温度的变化率为： ΔH—蒸发过程中单位摩尔