離子植入法的用途.pptVIP

* 半導體製程(4版)Microchip Fabrication 第11章:摻雜  Peter Van Zant 著姜庭隆 譯 李佩雯 校閱滄海書局中 華 民 國 90 年 11 月 28 日 摘要 ? N-P接合界面 ? 擴散製程 ? 沈積和驅入(drive-in) ? 離子植入機 接合界面 (junction) 將充滿負電荷的區域 (N型區) 和充滿電洞的區域 (P型區) 分隔 的界面。位置在電子/電洞濃度相等之處 擴散的觀念 擴散(diffusion):一種材料移動進入另一種材料中的自然化學反應 發生條件 (1)??????? 一材料的濃度要高於另一材料的濃度 (2)??????? 系統必須有足夠的能量供高濃度的材料進入另一材料 以擴散法形成摻雜區及接合界面 晶圓在高溫狀況下被置於一擴散爐管中， 暴露於摻雜物環境中， 摻雜物便會由氧化層上的開孔處擴散至晶圓內 圖11.3 　開始進行擴散製程 圖11.4 　擴散完畢後晶圓的剖面圖 固態擴散的目的 1. 在晶圓表面造成特定數量(濃度)的摻雜原子 2. 在晶圓表面下方特定深度處造成一個N-P (或P-N)接合界面 3. 在晶圓表面產生出特定分佈(濃度)的摻雜原子 橫向擴散或側向擴散 (lateral/side diffusion) 進入晶圓的摻雜原子向四方移動，有些原子橫向運動， 在氧化層阻隔下方形成接合界面 圖11.6 　N型摻雜物的側向擴散 圖11.8 　擴散之接合界面的剖面表示圖 圖11.9 濃度和深度關係圖的建立(a) 繪P型摻雜的濃度(b) 繪N型的濃度分佈， 並決定和P型線的交點 濃度深度分佈圖 擴散製程的步驟 (1) 沈積 (deposition) 又稱預先沈積 (predeposition)，簡稱dep或predep 摻雜原子蒸氣被送至爐管中擴散進入晶圓表面 圖11.11 　沈積 在晶圓內部，摻雜原子以兩種方式進行其運動 ? 空位模型 (vacancy model) ? 擠入空隙模型 (interstitial model) 沈積反應的限制因素 ? 摻雜物的擴散率 (diffusivity) : 隨溫度上升而增加 ? 摻雜物在晶圓內的最大固態溶解率 (maximum solid solubility) 圖11.12 　擴散的模型：(a) 空位模型；(b) 擠入空隙模型 圖11.13 矽中不純物 (雜質) 的固態溶解度 圖11.14 三種不同沈積時間典型的沈積摻雜物深度 (錯誤函數) 摻雜物濃度與深度的曲線關係: 錯誤函數 (error function) 晶圓表面的摻雜物濃度: 表面濃度 (surface concentration) 沈積步驟 1. 預先清潔及蝕洗 2. 爐管內沈積 ? 裝填晶圓(氮氣環境下進行) ? 摻雜動作 ? 晶圓移出(氮氣環境下進行 ) 3. 除去表面的光亮氧化層 4. 檢測 圖11.15 　晶舟裝入的方式(a) 平行(b) 垂直 摻雜物原料 摻雜原子的蒸氣來源 : 爐管原料櫃內的摻雜物混合，以承載氣體(carrier gas)送至爐中 圖11.16 沈積原料來源表 液態原料　 液態原料被置於有溫度控制的石英燒瓶中， 吹入惰性氣體(氮)形成含摻雜物的飽和蒸氣 優點:價格低，摻雜品質一致 缺點:均勻度不佳，安全有顧慮，燒瓶注入原料時可能被污染 圖11.17 液態摻雜物原料 圖11.18 利用整流隔板產生層流 圖11.19 液態原料BBr3和氧 在沈積爐內的反應 氣態原料　 ? 製造商喜歡氣態摻雜原料 ? 常為摻雜原子的氫化物形式(如AsH3及B2H6) ? 氣體和其他氣體相混合以稀釋其濃度 優點:可精確的控制進氣量，較清潔，常用於大晶圓 缺點: 進氣歧管內可能生成矽化物污染爐管及晶圓 圖11.20 　輸送氣體原料歧管 固態原料　 ? 遠端固態原料 (remote solid source) 經濟，但均勻性不佳，用於摻雜不需高精密度的個別元件 ? 平面式原料片 (planar source wafer) 晶圓大小的嵌片 (slugs)，內含所需的摻雜物 ? 相鄰式固體原料 (solid neighbor source) 在每兩片元件用晶圓間夾入一片嵌片 圖11.21 　固態原料(a) 遠端爐(b)