碳同素异构体微观结构的正电子的研究.pdfVIP

碳同素异构体微观结构的正电子研究 摘要 本文采用正电子湮没技术研究了石墨、纳米碳、金刚石薄膜、C60 薄膜四种碳材料的微观结构。结果如下： 1、石墨和纳米碳的电子动量分布和微观缺陷 (1)石墨晶体中的自由电子动量分布表现出显著的各向异性， 数与cos：0呈线性关系；而纳米碳中自由电子动量的分布不存在明显 的规律性。 (2)当温度从25K升至295K时，石墨和纳米碳中缺陷开空间 增大，平均自由电子密度降低；纳米碳中自由电子密度与温度变化成 线性关系。 (3)纳米碳表面层具有活性，可吸附微小杂质氢，导致S参数 下降；纳米碳基体内部离表面越远处，吸附杂质氢的量越少。 2、未掺杂、掺硼及掺硫金刚石薄膜退火前后的缺陷变化 (1)未掺杂金刚石薄膜在600。C以下退火，空位回复；而9000C 以上退火会使空位发生移动合并成大的缺陷，导致缺陷开空间增大。 (2)在400。C以下退火可减小低掺硼金刚石膜中的缺陷浓度；在 6000C以上退火会增加低掺硼金刚石膜的缺陷浓度。 (3)高掺硼金刚石膜表面缺陷较容易回复，经不同温度退火后， 其S参数降低。 (4)掺硫金刚石膜经200至1000