栅极驱动光电耦合器芯片研析和设计.pdfVIP

摘要 (Metal-Oxide—SemiconductorField-Effect Gate Bipolar Transistor)的驱动芯片。 论文首先概述了光电耦合器的组成、参数和作用，重点介绍了了红外发光二 极管的发光原理和硅光电二极管工作原理，并给出了硅光电二极管的模型。其次， 一个基于齐纳二极管稳压原理的预偏置电路，满足了宽电源电压范围的同时提高 了基准的精度；芯片内部集成了带迟滞的欠压闭锁模块，欠压时关断芯片并防止 了电源在阈值附近抖动引起的安全问题。 CMOS 基于0．4InnBCD(Bipolar 性指标进行了仿真验证。结果表明该芯片可在15-30V的电源电压范围内正常工 电压为1．5V；典型情况下的峰值输出电流为2．0A。芯片性能满足设计要求。 关键词： 光电耦合器栅极驱动功率MOSFET峰值输出电流 Abstract drive