半导体器件噪声—可靠性诊断方法的研究.pdf

摘要 摘要 随着航天技术、核能技术及其核武器等高技术的迅速发展，越来越多的MOS 器件需要在电离辐射环境中工作。由于电离辐射将在MOS器件中引入大量的氧化 层电荷和界面电荷，引起器件电参数退化，导致半永久性和永久性损伤，甚至完 全失效。为了保证器件在空间辐照环境中能正常工作，必须对辐照引入的损伤及 器件抵抗辐照的能力进行预先评估和诊断。通常的方法是辐射退火筛选，这种方 法周期长，且由于经济条件等因素，不可能做大量样品的破坏性实验，更重要的 是它不能保证所有的被辐照的器件经过退火后能够恢复其初始性能，还有可能在 被测器件中引入新的潜在缺陷。这迫切要求一种简单、快速且完全非破坏性的辐 射筛选和抗辐射能力评估技术。 光电耦合器以其体积小、寿命长、无触点、抗干扰性强等优点广泛地用于军 事和航天领域，其噪声与器件的内部缺陷密切相关，已经成为影响器件可靠性， 甚至器件功能的一个主要因素。所以对光电耦合器噪声的研究有助于检测该类器 件各种缺陷的特性，尤其是潜在缺陷对器件性能的影响。 本文通过比较分析MOS器件的l，f噪声及其辐射效应，深入研究了MOS器 件抗辐射能力的l／f噪声表征技术。结合应用环境，对MOS器件非平稳1／f噪声进 行了实验和理论研究。在详细分柝光电耦合器低频噪声的基础上，研究了噪声用 于光电耦合器可靠性评估的方法。取得了以下的创新研究结果： l、建立了基于虚拟仪器的半导体器件低频噪声测试系统。基于该测试系统， 对不同类型、不同沟道尺寸的MOSFET，在不同偏景条件下分别测试了其低频噪 1／f噪声差异的因素：(1)在Si．Si02界面，电子 声。从理论上分析了n／pMOSFET 的势垒高度大于空穴的势垒高度，且电子的有效质量远大于空穴；(2)导带底附 近的氧化层陷阱密度大于价带顶附件的氧化层陷阱密度：(3)在同等条件下，电 子的迁移率远大于空穴的迁移率。 2、实验发现，MOSEFET在开关偏置时的非平稳1／f噪声大幅度减小，随着器 件累积状态的加深，减小的幅度持续增加，且与开关频率成正比。建立了一个 MOSFET非平稳1／f噪声模型，采用蒙特卡罗方法模拟了陷阱俘获发射的动力学行 为，结果表明，器件开关状态时的非平稳1／f噪声减小归因于该偏置对氧化层中 陷阱随机复合和发射载流子过程的调制。 3、对不同沟道类型和沟道尺寸的MOSFET进行了60C07辐照实验，发现辐照 前1／f噪声和辐照引起阈值电压漂移和跨导退化之间有明显的相关性。理论分析 表明，辐射感生陷阱电荷起源于栅氧化层中的氧空位(=si··Si；)和三价硅(Si 半导体器件噪声一可靠性诊断方法研究 Fsi·)，前者通过辐照形成E’·tl,，是氧化层陷阱的主要物理机构，后者为P。心， 是界面陷阱的主要物理机构，这和引起l，f噪声的缺陷为同一起源。实验还发现随 着辐照计量的增加，1／f噪声指数减小，表明辐照不仅增加了陷阱电荷，而且改变 了陷阱电荷的分布。 4、在载流子数涨落和迁移率涨落理论的基础上，引入了氧化层陷阱的分 布特征，并同时考虑陷阱与沟道交换载流子的隧穿和热激活两种方式，建立了 完整的MOS器件1／f噪声表征模型。基于该模型，详细分析了用噪声提取辐照感 生氧化层陷阱和界面陷阱分布特征的方法。分析结果表明，氧化层中陷阱在能 量空间呈“U”型分布，辐照前氧化层陷阱在几何空间为正指数分布，辐照后 则改变为负指数分布。 5、建立了利用辐照前l／f噪声来表征MOS器件抗辐照能力的定量模型，提 出了用辐照前1／f噪声预测辐照引起阈值电压漂移和跨导退化的方法。此方法可 用于对MOS器件进行加严筛选。 6、通过实验测试发现，发现在施加应力的前后光电耦合器的t／f噪声与输 入电流具有相同的变化规律，但应力后的1／f噪声幅值在大电流区域比应力前增 加约7倍。理论分析表明，应力后1／f噪声的增大归因于应力在器件有源区诱生 的陷阱，不同偏置条件下的1／f噪声反映了不同器件内部区域的缺陷特性。 7．建立了一个光电耦合器1／f和G-R噪声的定量分析模型。分析结果显示， 光电祸合器的G—R噪声起源于光敏三极管发射结空间电荷区中的陷阱对载流子的 随机俘获和发射。基于实验结果和理论模型，建立了对光电耦合器可靠性的噪声 评估及加严筛选的方法。 以上取得的研究结果将为