偏振无关半导体光放大器集成模斑变换器的研究.pdfVIP

Y578879 摘要 半导体光放大器(SOA)在光信号处理、光通信网络、生物医学光子学、光传 感等领域具有广泛的应用前景，尤其在光纤通信系统中，作为未来全光网络中的关 体光放大器将发挥越来越重要的作用。 高增益、高饱和输出功率、偏振无关性是光网络对半导体光放大器提出的基本 要求，为提高半导体光放大器的性能并增加其与其它光电子器件集成的灵活性，偏 振相关性是亟待解决的问题之一，半导体能带工程的发展使得偏振无关的增益可以 通过采用应变量子阱结构来实现。本文分析了应变量子阱材料的能带理论，讨论了 应变效应对能带结构的影响；从研究分析能带结构的膏p微扰理论出发，对压应变、 张应变量子阱的能带结构进行了计算分析：行波半导体光放大器的腔面剩余反射率 是影响放大器性能的重要因素，采用斜腔结构并在放大器端面蒸镀多层抗反(AR) 膜是获得光放大器腔面超低剩余反射率的有效手段，本文从薄膜光学基本理论出 发，给出了半导体光放大器腔面抗反膜的设计和计算； 目前，制约半导体光放大器的性能和应用的另一个主要因素是半导体光放大器 与波导(光纤)的耦合效率和对准容差，模斑变换器(SSC)和半导体光放大器 (SOA)的单片集成技术是解决这一问题的最有效的方法，本文从平面光波导的基 本理论以及波束传播方法(BPM)和有效折射率方法(EIM)出发，计算设计了 1，39m侧向锥形脊波导偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器结构。 实验方面，对压应变、张应变和混合应变量子阱结构材料进行了MOCVD生长 (DCD)等测试方法对生长的材料进行测试分析，为器件的制作提供高质量的外延 材料；进行半导体光放大器结构制作及腔面抗反膜的工艺研究，设计制作了反射率 的实时监控装置，获得了低于3×10‘4的腔面剩余反射率；基于光刻、刻蚀、溅射等 管芯制作工艺，实现了脊型波导结构半导体光放大器集成模斑变换器(SSC． SOA)，该集成器件与平头标准单模光纤的耦合损耗约为2．6dB，远场发散角为 12。x15。，近似圆形光斑，同时，耦合对准容差也大为提高；基于光学硅基板 研制。 来墼警者、导师简慧 III 匆垒文公布 ￡≮o。矗 绝大多数半导体激光器和放大器都是温度敏感器件，在半导体光放大器的实际 应用中，尤其是其集成应用中，良好的温度特性具有极其重要的意义，A1GalnAs是 半导体激光器件具有更好的温度特性。在本文中，尝试设计并制作A1GaInAs—InP偏 振无关半导体光放大器，实验结果显示，当器件工作温度从250C升高至65。C时， 增益降低小于3dB，并且在不同的温度情况下，器件都能保持较小的偏振相关性， 因此，A1GalnAs材料系具备制作高性能半导体光放大器的潜力，有必要进一步深入 研究。 ● 关键词：半导体光放大器 偏振无关 应变量子阱 模斑变换器 耦合 MOCVDA1Ga／nAs ABSTRACT Thereare forsemiconductor suchfields amplifiers(SOA)in manyapplications optical as and communication，biomedicaloptical opticalsignalprocessing，optical photonies in communication fiber—optic system，semiconductoropticalamplifiers sensors．Especia