等离子体刻蚀轮廓的数值的研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文应用在离子能流限制区，刻蚀速率同入射的离子能流成正比这一实验结 论，提出了一个二维半导体深槽反应离子刻蚀的刻蚀速率模型。首先对鞘层中无 碰撞时的等离子体刻蚀轮廓进行了模拟。其次，在wJ．Chen等人研究的基础之上， 且在考虑鞘层中离子的碰撞作用的条件下，对平行平板射频等离子体反应器、电 感耦合等离子体反应器以及螺旋波等离子体反应器中的刻蚀轮廓进行了模拟，并 进行了分析和对比。最后还利用电感耦合等离子体反应器中A，和cf的修正的离子 能量分布函数模拟中得到的参数计算出了实际的有量纲的参数值，并通过对比n的 模拟结果与实验结果，验证了这些参数的正确性。 关键宇：刻蚀速率平行平板射频等离子体反应器V、电感耦合等离子体反应器u ／ ． 螺旋波等离子体反应器’Y Abstract ABSTRACT Basedonthe conclusionthatintheion fluxlimited experimental energY region to the theetchrateis theincidention flux．amodelfor simulation proportional energy of inion．assistedof trenchesonsemiconductorwafersis etching etchinglong sheathmodeledfirst． foracollisionless is developed．Theetchingprofiles plasma workof etch foracollision ontheresearch Thell，based W．J．Chen，the profiles plasma sheathinthreedifierent RfPlasmaReactor、 plasmareactors—Pamllel—plate PlasmaReactorandHeliconPlasmaReactorarealsomodeled InductivelyCoupled and actualetch withdimensionsandetchrateare compared．Finally,theparameters calculatedfromthemodeJ forthe andchlorine parametersargon plasma．The correctnessofthese isverified t