模拟集成电路-2008年B(答案).docVIP

电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 二 学期期 终考试 模拟集成电路原理 课程考试题 B 卷 （ 120分钟） 考试形式： 开卷考试日期 200 8 年 月 日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 0 分， 实验 10 分， 期末 80 分 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 选择题（共20题，每题 2分，共40分） 对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随过驱动电压的变化是( A ) A.单调增加 B. 单调减小 C. 开口向上的抛物线 D.开口向下的抛物线. 2. 对于MOS器件,器件如果进入三极管区(线性区), 跨导将( B ) Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小 3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的漏结电容( C ) A 大 B 相同 C小 D 不一定 4. 关于衬底PNP,下列说法不正确的是( B ) A 衬底PNP一般耐压较高. B 衬底PNP一般共射电压增益较高. C 衬底PNP一般容易实现大电流 D 衬底PNP不能采用n+ 埋层. 5. 对于扩散电阻, 杂质的横向扩散, 会导致电阻值( C ) A 变小, B不变, C变大, D可大可小. 6. 在NMOS中, 衬底上加上负电压偏置, 会使阈值电压( A ) A. 增大 B 不变 C 减小 D 可大可小 7. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些 A. 最大电压输出摆幅 B. 差模增益 C. 极点频率 D.功耗 8. 对CMOS PTAT源， 器件是工作在（ D ） A．饱和区和线性区 B. 都是饱和区 C.线性区和亚阈区 D. 饱和区和亚阈区 9.下图示出的剖面图 ( C ) A．A是纵向pnp, B是纵向pnp B．A是横向pnp, B是纵向pnp C．A是纵向pnp, B是横向pnp D．A是横向pnp, B是横向pnp 10. 对于电流镜的要求, 那种说法正确( C ) A. 输出阻抗高 B输出阻抗低 C交流输出阻抗高 D直流输出阻抗高 11.通常模拟运算放大器由输入级、中间级、输出级和（ D ）组成。 A．有源负载 B.基准电压源 C. 差分对 D. 偏置电路 12.差分放大器差动输入差动输出时的差模电压增益为( A ) A．-gmRc B. gmRc C. -2gmRc D. 2gmRc 13.在下列防止CMOS IC中闩锁效应的办法中， （ C ）不可采用。 A.让NMOS和PMOS在许可的范围尽可能远离； B.降低寄生NPN、PNP的β； C.增加RS、RW； D.采用深槽隔离。 14.对于共源共栅放大电路, 如果考虑器件的衬底偏置效应, 则电压增益会( B ) A 增大 B 不变 C. 减小. D可能增大也可能减小 15. 在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利 ( A ) A.减小有源负载管的宽长比. B.提高静态工作电流. C.减小差分对管的沟道长度和宽度 D.提高器件的开启(阈值)电压 16. 有源电流镜为负载得差动对,有( B ) A. 一个极点, 没有零点 B. 两个极点, 一个零点 C. 一个极点, 一个零点 D. 两个极点, 没有零点 17. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A ) A.小得多 B相当, C 大得多. D不确定 18.电阻的版图中, 直角拐角处的电阻为( B ) A. 0.25方 B. 0.5方 C. 1方 D. 1.5方 19.差分放大器差模电压增益与( B )有关 A．双端输入还是单端输出; B．双端输出还是单端输出 C．双端输入还是单端输入 D．与输入输出形式无关 20. 差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C ) A．差分管的对称性 B．电流源的交流阻抗 C．输入电压幅度 D．电阻RC1和RC2的对称性 简答题（共5题，每题4分， 共20分） 运算放大器输入级的主要要求有哪些? 答: 要求有低输入失调电流、低输入失调电压、低输入偏置电流、高输入阻抗、低输出阻抗、高共模输入电压范围。 试用四层结构模型表示NPN晶体管. 并说明其寄生晶体管及其影响. 答: 3. 在