129980291363906250第八章 成像器件.ppt

作业 CCD原理 CMOS原理 CCD,CMOS区别（从原理说明为什么有这些区别） CCD的电荷注入方式 CCD的电荷检测方式 其他均可 二代近贴管 光阴极 MCP 荧光屏 光纤扭曲器 光纤面板 微光像增强器的性能参数 有效光电阴极直径 在像管输入端上与光电轴同心、能完全成像于荧光屏上的最大圆直径。 光通量增益G。 用色温为2856K土50K的钨丝白炽灯照射像管的光电阴极，荧光屏输出的光通量Φ出与输入到光电阴极的光通量Φ入之比为光通量增益，即： 有效荧光屏直径 在像管输出端上与光电轴同心，并与有效光电阴极直径成物像关系的圆直径。 光亮度增益GL 荧光屏的法向输出光亮度L出与光电阴极输入光照度Eλ之比即为光亮度增益，即： 暗背景光亮度 光电阴极无光照时，处于工作状态的像管荧光屏上的输出光亮度称为暗背景光亮度。 [Cdm-2Lx-1] 放大率 荧光屏上输出像的几何大小与光电阴极上输入像的几何大小之比。 分辨力 像管分辨相邻两个物点或像点的能力。 畸变 距离光电轴中心不同位置处各点放大率不同的表征。以该点处的放大率与中心放大率的差除以中心放大率表示 WJII型头盔式微光夜视仪 四 扫描型摄像管 能够输出视频信号的一类真空光电管称为摄象管。将二维空间分布的光学图像转化为一维时序电信号 光电发射式摄象管 光电导式摄象管 R 靶 电子束 电子枪 R 光电阴极 靶 电子束 电子枪 移像区 光电发射式摄象管 光电导式摄象管 R 靶 电子束 电子枪 R 光电阴极 靶 电子束 电子枪 移像区 光电摄像器件的工作过程： 1、光电转换：光学图像投射到器件光敏面上，以象素为单元分别进行光电转换，形成电量的潜像。 2、光电信号的存储：每个象素在扫描周期内对转换的电量进行存储。 3、扫描：扫描线按一定轨迹逐点采集转换后的电量，形成输出信号。 RL C 防反射膜 信号板 光导靶 1）光导靶 由光窗、信号板和靶组成。 靶面的轴向电阻小，横向电阻大，有利于保持光电转换形成电量的潜象，并在扫描周期内实现积分存储。 视象管的基本结构：光导靶和电子枪。 一）光电导式摄象管（视象管） RL C 防反射膜 信号板 光导靶 聚焦线圈 偏转线圈 校正线圈 聚焦电极 加速电极 K 聚焦线圈 校正线圈 偏转线圈 G 2）电子枪 电子枪的作用是产生热电子，并使它聚焦成很细的电子射线，按着一定的轨迹扫描靶面。逐点地采集这些转换后的电量形成串行输出信号。 3）视频信号的形成 —帧图像可分成四十多万个像元。每个像元可用一个电阻和电容c来等效。 电容c起存储信息的作用，电阻R随着光照度的增大而变小，无光照时R为暗电阻R0、光照后变为Rc(E)，是与照度有关的变量。 视频信号 RL CL E K 每个象元（象素）有序的转化为视频电信号 （1）硅靶摄象管 硅靶是贴在信号板上的一块硅片，朝着电子枪一面生成几十万个相互隔离的PN结(光电二极管)。 硅靶窗口玻璃内表面涂有一层很薄的金属膜，有引线同负载相连，称为信号板。 玻璃面板 信号板 电阻海 RL 工作过程：光照在P型岛上形成电势—电子线扫描连线形成电流—在输出电阻上产生与视频对应的电压信号（ P型岛拉回低电位） 硅靶的特性 1)抗烧伤性 耐强光、耐高温 2)光谱特性及灵敏度 硅靶的光谱响应范围为 0.4～1.1μm． 峰值波长为 0.65～0.85μm。 3)暗电流 硅靶的暗电流较大，约为10 nA，且随温度每升高9℃，暗电流约增加一倍。 光导摄像管的光谱响应特性曲线 a-Sb2S3光导摄像管 b-pbO光导摄像管标准型 c-pbO光导摄像管全色型 d-CdSe光导摄像管 e-硅靶摄像管 g-ZnCdTe光导摄像管 （2）氧化铅靶摄像管 PbO靶摄像管的特点是： PIN结构，工作原理与硅靶类似 灵敏度较高，可达400μA／lm； 暗电流小，低于1nA, 光电特性好；惰性小，三场后残余信号不大于4％。 N I P SnO2 透明导电膜 玻璃 RL VT （40～60V） 信号板 （3）碲化锌镉靶摄像管 碲化锌锡靶摄像管的灵敏度很高，可在星光下获得可用的图象，多用于微光电视。 Sb2S2 ZnxCd1-xTe ZnSe 信号板SnO2 ZnSe（N）无光电效应，增强短波光吸收，提供可见光灵敏度，与第二层ZnxCd1-xTe（P）形成异质结。 第三层Sb2S2减小电子束注入效应，减小暗电流和惰性 二）光电发射式摄像管