数字模拟技术第三章.ppt

* 3.1 概述 门电路是用以实现逻辑运算的电子电路，与已经讲过的逻辑运算相对应。常用的门电路在逻辑功能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等。 正逻辑：高电平表示逻辑1、低电平表示逻辑0。 负逻辑：高电平表示逻辑0、低电平表示逻辑1。 获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的 导通、截止（即开、关）两种工作状态。 3.2 半导体二极管门电路 §3.2.1 半导体二极管的开关特性 Ui0.5V时，二极管导通。 Ui0.5V时，二极管截止，iD=0。 ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开， uo＝0V。 ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源， uo＝4.3V。 当外加电压突然由正向变为反向时，存储电荷反向电场的作用下，形成较大的反向电流。经过ts后，存储电荷显著减少，反向电流迅速衰减并趋于稳态时的反向饱和电流。 当外加电压由反向突然变为正向时，要等到PN结内部建立起足够的电荷梯度后才开始有扩散电流形成，因而正向电流的建立稍微滞后一点。 反向恢复时间 （几纳秒内） 反向恢复时间即存储电荷消失所需要的时间，它远大于正向导通所需要的时间。这就是说，二极管的开通时间是很短的，它对开关速度的影响很小，以致可以忽略不计。 因此，影响二极管的开关时间主要是 反向恢复时间，而不是开通时间。 §3.2.2 二极管与门 Y=A·B A B Y §3.2.3 二极管或门 Y=A+B 3.5 TTL门电路 §3.5.1 双极型三极管的开关特性 一、双极型三极管的结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 B E C NPN型三极管 P N P 集电极 基极 发射极 B C E B E C PNP型三极管 二、双极型三极管的输入特性和输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 输入特性曲线 输出特性曲线 开启电压 饱和区 截止区 放大区 三、双极型三极管的基本开关电路 　　在数字电路中，三极管作为开关元件，主要工作在饱和和截止两种开关状态，放大区只是极短暂的过渡状态。 四、双极型三极管的开关等效电路 开关等效电路 (1) 截止状态 条件：发射结反偏 特点：电流约为0 (2)饱和状态 条件：发射结正偏，集电结正偏 特点：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅 ui t uo t +Vcc 0.3V 五、双极型三极管的动态开关特性 BJT的开关时间：是指BJT管由截止到饱和导通 或者由饱和导通到截止所需要的时间。 延迟时间td—从+VB2加到集电极电流ic上升到0.1ICS所需要的时间； 上升时间tr—ic从0.1ICS到0.9ICS所需要的时间； 开通时间ton=td+tr 就是建立基区电荷时间 存储时间ts—从输入信号降到-VB1到ic降到0.9ICS 所需要的时间； 下降时间tf—ic从0.9ICS降到0.1ICS所需要的时间。 关闭时间toff=ts+tf就是存储电荷消散的时间 集成门电路 双极型 TTL (Transistor-Transistor Logic Integrated Circuit , TTL) ECL NMOS CMOS PMOS MOS型（Metal-Oxide- Semiconductor，MOS） TTL — 晶体管-晶体管逻辑集成电路 MOS — 金属氧化物半导体场效应管集成电路 §3.5.2 TTL反相器 输入级 倒相级 输出级 称为推拉式电路或图腾柱输出电路 一、TTL反相器的电路结构和工作原理 1.输入为低电平（0.2V）时 三个PN结 导通需2.1V 0.9V 不足以让 T2、T5导通 T2、T5截止 1.输入为低电平（0.2V）时 vo vo=5－vR2－vbe4－vD2≈3.4V 输出高电平 2.输入为高电平（3.4V）时 电位被嵌 在2.1V 全导通 vB1=VIH+VON=4.1V 发射结反偏 ?1V 截止 T2、T5饱和导通 2.输入为高电平（3.4V）时 vo =VCE5≈0.3V 输出低电平 可见，无论输入如何，T4和T5总是一管导通而另一管截止。 这种推拉式工作方式，带负载能力很强。 1. 悬空的输入端相当于接高电平。 2. 为了防止干扰，一般应将悬空的输入端接高电平。 TTL集成门电路的封装： 双列直插式 如：TT