102三极管.pptVIP

回顾与总结 二极管的伏安特性曲线可以分为几个区？其中整流二极管一般工作在什么区？稳压二极管工作在什么区？发光二极管工作在什么区？光电二极管工作在什么区？ 如何测量普通二极管的好坏？ 如何测量稳压二极管的好坏？ 如何测量发光二极管的好坏？ 如何测量光电二极管的好坏？ 设计二极管稳压电路要考虑哪些具体事项？ 第0章 作业讨论 什么是电信号？为什么要将非电的物理量转换成相关的电信号？ 2.模拟信号与数字信号有什么区别？数字信号有什么优点？ 3.模拟电子系统由哪些部分组成？ 4.常见的模拟电路有哪些？ 第1章 作业讨论 1自由电子导电和空穴导电的区别在哪里？ 2 何谓杂质半导体？N型半导体中的多子是什么？少子是什么？ 3 P型半导体中的空穴多于自由电子，是否意味着带正电？N型半导体是否带负电？ 4 何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？ 5.把一个1.5V的干电池直接正向联接到二极管的两端，会出现什么问题？ 6.二极管的伏安特性曲线上分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电压、电流情况？ 7现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： (1)若将它们串联相接，可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，可得到几种稳压值？各为多少？ 8在右图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5~15mA时才能正常工作。试问R的取值范围又是多少？ 世界上第一只晶体管 William Shockley 记录片欣赏：从晶体管到集成电路 * N N P 1.4 晶体三极管 1. 晶体三极管的结构及类型 结构：三区、两结和三电极；分类：NPN型和PNP型。 发射极e 发射结 集电结 基区 发射区 集电区 集电极c 基极b NPN型 PNP型 P P N NPN型三极管图符号 e c b 注意：图中箭头方向为发射极电流的方向。 PNP型三极管图符号 e c b 大功率低频三极管 中功率低频三极管 小功率高频三极管 常见的晶体三极管 2. 三极管的电流放大作用 晶体管芯结构剖面图 e发射极 集电区N 基区P 发射区N b基极 c集电极 晶体管实现电流 放大作用的内部结构条件 (1)发射区掺杂浓度很高，以便有 足够的载流子供“发射”。 (2)基区很薄,且掺杂浓度极低, 减少载流子在基区的复合机会。 (3)集电区体积较大，掺杂浓度界于发射极和基极之间。便于收集边缘载流子。 可见，三极管并非是两个PN 结的简单组合，因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。 晶体管实现电流放大作用的外部条件 N N P UBB RB ＋ － (1)发射结正向偏置，以利于发射区电子的扩散，扩散电子的少数与基区空穴复合，形成基极电流ib，多数继续向集电结边缘扩散。 UCC RC ＋ － (2)集电结反向偏置，以利于收集扩散到集电结边缘的 多数扩散电子，收集到集电区的电子形成集电极电流ic。 IE IC IB 发射区向基区发射的电子数等于基区复合掉的电子与集电区收集的电子数之和，即： IE=IB+IC 三极管的集电极电流IC稍小于IE，但远大于IB，IC与IB的 比值在一定范围内基本保持不变。特别是基极电流有微小 的变化时，集电极电流将发生较大的变化。例如，IB由40 μA增加到50μA时，IC将从3.2mA增大到4mA，即： 显然，双极型三极管具有电流放大能力。式中的β值称为 三极管的电流放大倍数。不同型号、不同类型和用途的三 极管，β值的差异较大，大多数三极管的β值通常在几十 至几百的范围。 由此可得：微小的基极电流IB可以控制较大的集电极电流IC，故三极管属于电流控制器件。 3. 三极管的特性曲线 所谓特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线，是三 极管内部载流子运动的外部表现。从工程应用角度来看，外 部特性更为重要。 (1) 输入特性曲线 以常用的共射极放大电路为例说明 UCE=0V UBE /V IB /?A 0 UCE =0V UBB UCC RC + + RB 令UBB从0开始增加 IB IE=IB UBE 令UCC为0 UCE=0时的输入特性曲线 UCE为0时 UCE =0.5V UCE=0V UBE /V IB /?A 0 UBB UCC RC + + RB 令UBB重新从0开始增加 IB IC UBE 增大UCC 让UCE=0.5V UCE =1V UCE=0.5V UCE=0.5V的特性曲线 继续增大UCC 让UCE=1V 令UBB重新从0开始增加 UCE=1V UCE=1V的特性曲线 继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后 的所有输入特性几乎都与UC