In2O3及其SiC基稀磁半导体薄膜的局域结构和磁、输运性能的研究.pdfVIP

摘要 稀磁半导体(DMS)因兼具半导体和磁性的特点，即在同一种材料中同时应用电子 自旋和电子电荷两种自由度，而受到广泛关注。同时，其作为自旋电子学器件的后备材 料，迅速成为研究的热点。目前，DMS尚处于研究阶段，存在的问题主要集中在磁性 来源和磁性调节机制两个方面。如果能解决这些问题，必将给未来电子信息技术的发展 带来巨大影响。 本论文采用射频磁控溅射法分别制备了不同浓度Mn、Co掺杂№03基稀磁半导体 薄膜，以及不同浓度Cr掺杂或Cr、Mn共掺杂SiC基稀磁半导体薄膜。并利用X】m、 一系列的结构表征及自旋相关磁、输运特性的研究。获得的主要成果如下： l、研究了不同Mn浓度掺杂h1203薄膜样品的局域结构及磁、输运性能。结果发现：不 形式进入h1203晶格，薄膜中不存在№团簇，№的第二相氧化物及间隙Mn原子等。 对于不同Mn掺杂浓度In203薄膜，№3d与O 2p杂化耦合程度为5删最高，8．5at％次 跃迁模型。电阻率随№掺杂浓度的增加先增加后减小，禁带宽度随Mn掺杂浓度增加 而减小。不同Mn掺杂浓度h1203薄膜均具有室温铁磁性，饱和磁化强度随Mn掺杂浓 度的增加先增加后减小。根据这些表征和测试结果，我们提出了一种可能的铁磁性产生 机理，