ULSI片内互连线寄生参数提取及其应用.pdf

摘要 半导体工艺水平的飞速提高使当今集成电路的发展进入超深亚微米 ULSI设计中最具挑战性的课题之一。互连的传输线效应成为限制系统整体性能 的“瓶颈”。对于高速ULSI设计，传统EDA设计中采用的基于集总概念的参数 提取算法已经失去准确性，寻求互新型电磁建模和参数提取方法具有至关重要的 意义。它是一系列后续工作的基础。本文以片内互连线的关键长线为主要研究对 象，侧重寄生参数提取方法的研究，以及基于互连模型分析各种寄生效应。研究 方法从精度和速度两方面着手。文中研究内容可分为两部分： 一互连线寄生参数提取部分 1)基于ULSI片内互连电感、电容参数提取问题的内容和特点，引入 互连线不同相对几何位置的寄生参数解析计算公式，得到一类快速 寄生电感、电容定界方法。 2)提出一类基于牛顿法BP网络的互连线寄生电感提取方法：根据 ULSI片上互连线曼哈顿结构特点，将ANN方法应用于多导体系统 环电感分段计算，提出一种快速限制回路寄生电感提取方法。 3)利用Csplat模拟互连线光刻，分析光刻中OPE对互连线版图的影响， 针对版图畸变现象，