ZnO中本征缺陷和掺杂和发光的关系及作用机理.pdf

摘要 摘要 eV的 ZnO是一种直接带隙的第三代宽禁带半导体，因其在室温下约为3．37 禁带宽度和高达60meV的激子结合能，而受到了广泛关注，被认为是有望取代 GaN的新一代短波长光电子材料。随着ZrD半导体材料制备研究不断取得进展， znO基器件特别是光电子器件的研究取得了较大进展。但是ZnO基光电子器件 仍未达到实用化水平，其发展遇到了瓶颈，因而需要对zIlo材料的基本问题进 行深入研究，如ZnO中的杂质和缺陷，Zno的生长设备等等。其中ZnO的杂质 和缺陷研究尤为重要，因为杂质和缺陷是影响材料性质的重要因素，甚至是决定 性因素。 基于这样的背景，本论文着重研究了ZnO中的几种本征缺陷和掺杂与发光 的关系，以及它们在ZnO发光中起到的作用。主要工作如下： 首先，创新性地运用Zn扩散掺杂方案，研究了Zn扩散掺杂所形成的缺陷 及其对Zrlo发光性质的影响。通过对实验结果的分析得出：1)Zn掺杂在ZnO