超深亚微米SRAM静态稳定性研析.pdfVIP

摘要 摘要 SRAM作为巨规模集成电路以及微处理器中的高速缓冲存储器，占据了大量 芯片面积，一般采用最小线宽以限制其面积。选择它来研究特征尺寸缩小对大规 模集成电路稳定性的影响具有普遍意义。 SRAM存储单元山两个倒相器互相祸合构成，它的稳定性是指抵抗外部静态 干扰噪声的能力，通常用 “静态噪声容限 (SNM)”表征。SNM的定义是:使存 储单元状态翻转的最小直流噪声电压;一般考虑最坏情况，即某种直流噪声相反 地存在于祸合倒相器的两个数据节点上。决定最差情况SNM的最直观标准是“最 大方块边长”，即SRAM单元中两个祸合倒相器的电压转移特性曲线之间的最大 方块的边长，等于最坏情况下SNM的大小。SRAM分成六管单元和四管单元两 种，从工艺角度、尤其是在存储稳定性方面，六管单元显示出相对四管单元的优 势，因此本文的研究也主要基于六管SRAM单元展开。 本文采用基于物理的。指数模型，推导出超深亚微米SRAM单元的传输函 数，进而求出SNM的解析模型，并利用HSPICE软件模拟进行了验证。该模型 考虑了深亚微米MOSFET的亚闭值特性、迁移率与电场的关系、载流子速度饱 和、漏致势垒