掺杂LiNbO3薄膜制备及其铁电铁磁性能的研究.pdf

摘要 随着信息技术的飞速发展，集铁电性与铁磁性于一体的单相多铁材料受到人们的广 泛关注，其在多态存储元件、自旋电子器件、存储介质、换能器、传感器和多功能设备 等方面有重要的潜在应用。本文利用射频磁控溅射的方法，在Si(111)和Si(100)基片上 素、掺杂浓度、溅射气氛的氧氩比和退火气氛对薄膜铁电性和铁磁性的影响。利用x射 结构(XAFS)技术对薄膜的组分含量、晶体结构、物相、元素价态和吸收原子的局域结构 性能测量，TF2000铁电分析仪和阻抗分析仪对薄膜进行铁电性测量，获得研究结果如 下： 量从3at％N7at％时，饱和磁矩随着Fe含量的增加而增大，在7at％时最大，为 交换作用。 掺杂LiNb03薄膜，当Mn含量从1．5at％N2．5at％时，薄膜的饱和磁矩随Mn含量的增 当Mn的掺杂浓度从1．5at％到3．5at％时，薄膜的饱和磁矩随Mn掺杂量的增加而增大， 于Mn的3d和邻近Nb的4d轨道间的耦合以及不同价态Mn间的双交换作用。 含量从5at％N7．5at％时，薄膜的饱和磁矩随Co含量的增加而增大，在7．5at％时最大， 继续增加Co含量，饱和磁矩降低。5at％Co掺杂的薄膜经过氩气、空气和氧气下退火 膜的磁性是由氧空位与Co离子间耦合产生磁极子而形成宏观磁性。 关键词：射频磁控溅射掺杂LiNb03薄膜铁磁性铁电性磁性来源 Abstract Withthe ofinformation multiferroics development technology，single-phaseexhibiting coexistence and becomethe ofintensive offerromagnetismferroelectricity subject duetotheir in devices， investigationspotentialapplicationsdata—storagemedia,spintronic thinfilmsare memories，sensors，etc．M(Fe，Co，Mn)-dopedLiNb03 deposited multiple-stage on RF effectsof Si(100)substratesmagnetron technique．Tlle Si(111)and by sputtering as concentrationand the atmosphere，on preparationparameters，suchdoping annealing of have of ferroelectricand beenstudied．The ferromagneticpropertiessamples composition filmsiSdeterminedthe LiNb03 energy M-doped by X-Ray dispersive The andferroelectricarech