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第九章化合物半导体集成技术

《半导体制造技术》课程第九章：化合物半导体集成技术刘洪刚研究员 Email: liuhonggang@ime.ac.cn 微波器件与集成电路研究室中国科学院微电子研究所 1 参考书目与文献 1. Shur, M. S. Physics of Semiconductor Devices. Englewood Cliffs, NJ: Prentice-Hall, 1990. ISBN: 0136664962. 2. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices. 2nd ed. New York, NY: Wiley, 1981. ISBN: 047109837X. 3. Sze, S. M., ed. High Speed Semiconductor Devices. New York, NY: Wiley, 1990. ISBN: 0471623075. 4. Adachi, Sadao. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP. New York, NY: John Wiley Sons, 1992. ISBN: 0471573299. 5. Cook, P., E. Martinez, J. Tantillo, and F. L. Schuermeyer. Band Edge Alignment in Heterstructures. Applied Physics Letters 55, no. 18 (October 1989): 1877-1878. 6. Fitzgerald, E. A. Dislocation in Strained-layer Epitaxy: Theory, Experiment, and Applications. Materials Science Reports 7 (1991): 87-142. 7. Mohammad, S. N., and H. Morkoc. Progress and Prospects of Group-III Nitride Semiconductors. Progress in Quantum Electronics 20 (1996): 361-525. 8. Monemar, B., and G. Pozina. Group III-nitride Based Hetero and Quantum Structures. Progress in Quantum Electronics 24 (2000): 239-290. 9. Bollaert, S., Y. Cordier, M. Zaknoune, T. Parenty, H. Happy, and A. Cappy. HEMTs Capability for Millimeter- wave Applications. Annals of Telecommunications 56 (2001): 15-26. 10. Houston, P. A.. High-frequency Heterojunction Bipolar Transistor Device Design and Technology. Electronics and Communication Engineering Journal 12 (October 2000): 220-228. 11. Delage, S. L. Heterojunction Bipolar Transistors for Mill