北京半导体物理课件1.pdfVIP

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北京半导体物理课件1

上一次课的主要内容 PN结的结构 工作原理:单向导电性 平衡情况 非平衡情况 PN结静电变量的定量描述 PN结二极管电流特性的定量描述(稳态响 应) PN结二极管的击穿 1 Ru Huang, IME, PKU 突变结 耗尽近似 正负电荷 2 Ru Huang, IME, PKU 耗尽区宽度 单边突变结:P +/N结,N N A D 3 Ru Huang, IME, PKU Is 4 Ru Huang, IME, PKU PN结的结构 工作原理 平衡情况 非平衡情况 PN结静电变量的定量描述:二极管和其他器件 建模的基础 平衡 非平衡 线性缓变结(自学) PN结二极管电流-电压特性的定量描述 PN结二极管的击穿 PN结二极管的小信号特性 PN结二极管的瞬态响应 基本电路应用 5 Ru Huang, IME, PKU 小信号响应 器件的交流响应表征:小信号导纳Y =i/va PN结二极管结区的响应Y =G +jωC 外加直流电 压的函数 ∂Q V ω ( , ) C V 非本征串联电 交流电容 ( ,ω) ∂V 阻,有些情况 下可忽略 一定直流偏压下, 电压微小变化相应 的电荷变化量 6 Ru Huang, IME, PKU 反向偏置 交流行为:偏置周期内,正半周/ 负半周情况 耗尽区宽度随电压的微小变化而微小变化,两边 耗尽电荷波动 势垒电容/耗尽层电容 可以看作距离w 的平行 P型 N型 板电容器

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