半导体中光子电子的互作用..ppt

第一章 半导体中光子-电子的相互作用 半导体物理基础 1.1 半导体中量子跃迁的特点 1.2 直接带隙与间接带隙跃迁 1.3 光子密度分布 1.4 电子态密度与占据几率 1.5 跃迁速率与爱因斯坦关系 1.6 半导体中的载流子复合 1.7 增益系数与电流密度的关系 小结 半导体物理基础 能带 单个原子——能级 当原子结合成晶体时，原子相互接近→电子壳层交叠→电子不再局限在某一个原子上→电子的共有化运动 内层电子变化不大，仍然是孤立能级，外层电子（价电子）由于电子的共有化运动，导致外层运动轨道容纳的电子个数增多，由于泡利不相容原理，能级→分裂→能带， 能带是由N(固体中原子的个数)个靠得很近的能级组成，准连续。 原子相互靠近→能级分裂→能带 （允带） 允带和允带之间的能量间隔——禁带 较低的能带被价电子填满，较高的能带是空的。对于半导体来说，能量最高的满带称为价带，能量最低的空带称为导带。 导带：接收被激发的电子（半导体） 价带：通常被价电子填满（半导体） Ec：导带底的能量 Ev：价带顶的能量 Eg：禁带宽度，是打破共价键所需的最小能量，是材料特有的重要特性。 导体、半导体、绝缘体的能带论解释 电子和空穴 半导体由于Eg较小，在室温下，由于热激发或入射光子吸收，使得价带中一部分电子跃迁到导带中，一个电子由价带跃迁至导带，就在价带留下一个空量子状态，可以把它看成是带正电荷的准粒子，称之为空穴（hole）。这个过程是电子-空穴对的产生，反之电子由导带跃迁至价带，价带内丢失一个空穴，是电子空穴对的复合。二者为载流子。 半导体中一般采用电子的有效质量替代电子的惯性质量，这样载流子的运动规律就可以用经典力学方程来描述，起到了简化作用，这是一种近似，称有效质量近似，用 me表示。为了方便，空穴同样用有效质量表示，用 mh表示。 有效质量m*：考虑了晶格对于电子运动的影响并对电子静止质量进行修正后得到的值。 1.1 半导体中量子跃迁的特点 跃迁： 原子存在某些定态，在这些定态时不发出也不吸收电磁辐射，原子定态能量只能采取某些分立值E1、E2等，这些定态能量的值称为能阶。 电子通过能阶跃迁可以改变其轨道，当它从离原子核较远的轨道（高能阶）跃迁到离原子核较近的轨道（低能阶）上时将会发射出光子，反之将会吸收光子。每个跃迁对应一个特定的能量和波长。 半导体中三种跃迁现象： 1. 受激吸收 2. 自发发射 3. 受激发射 受激吸收 三种跃迁现象的区别与联系： 受激吸收与受激发射是互逆的。 受激发射与自发发射的区别在于这种跃迁中是否有外来光子的参与 。 同一种光电子器件中，有可能同时并存以上两种甚至三种跃迁过程。 半导体中量子跃迁过程的突出特点： 量子跃迁速率高，光增益系数大。 频响应特性好，量子效率高。 能量转换效率高。 半导体LD比普通LD有更宽的谱线宽度。 1.2 直接带隙与间接带隙跃迁 Ge、Si和GaAs的能带图 在间接带隙半导体中 上式不再相等，为满足选择定则，跃迁过程一定有声子参与（声子：晶格振动能量的单位，有能量、动量）。 这时动量守恒可表示为： 1.3 光子密度分布 在讨论跃迁速率之前需要先弄清楚辐射场中光子密度随能量分布，这对分析辐射场与半导体中电子的相互作用非常重要。 单位体积、单位频率间隔内的光子数—光子密度分布，需要求出两个量，一是光子状态密度，另一个是这些状态被光子占据的几率。光子状态密度由电磁场方程利用边界条件得到。占据几率服从玻色-爱因斯坦（Poise-Einstein）分布律。 光学腔内产生稳定振荡的条件是：腔长应是平面波半波长λ/2的整数倍，这就是驻波边界条件 ，波长受到限制 空间驻波条件对波矢k选取值的限制为 : （m、p、q）值确定一个k 每个k在k空间中占据的体积为 1.5 跃迁速率与爱因斯坦关系 具体分析与半导体光电子器件工作原理有关的三种跃迁（受激吸收、受激发射、自发发射）过程的跃迁速率，以及联系这几种跃迁速率的爱因斯坦关系。 影响跃迁速率的因素： （1）与跃迁有关的电子能态的占据情况 （2）正比于激励该跃迁过程的入射光子密度 （3）正比于参与光跃迁的电子态密度 （4）正比于跃迁几率 （1）与跃迁有关的电子能态的占据情况 电子在半导体能带之间的跃迁只能始于电子的占有态而终止于电子的空态，因此跃迁速率应该正比于与跃迁有关的初态占据几率和终态被空着的几率。可以认为发生