半导体异质结物理..ppt

半导体异质结物理基础 半导体异质结基本特性 基本概念、组成、生长技术 能带图 I-V特性 二维电子气及调制掺杂器件 半导体异质结的应用 半导体激光器及探测器 HBT、MOSFET电子器件 超晶格和MQW 当晶体中的电子在外力作用下运动时，它一方面受到外电场力的作用，同时还和半导体内部原子、电子相互作用，电子的加速度应该是半导体内部势场和外电场综合作用的结果。 有效质量概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时不需涉及半导体内部势场的作用。使其运动规律在形式上与经典力学类似。 Ａnderson定则争议： 两个半导体内的电子能量都和一个共同的参考能量（真空中电子能量）来比较，确定异质结两边能量的偏移。即界面的静电势是连续的。 争议： 电子转移并不经过真空能级 电子亲和势与晶体表面状态有关 电子亲和势是个大能量值，测量的数据误差较大，而带阶能量很小，该误差将导致大的带阶偏差。 测量能带带阶的方法： X射线光电子发射谱XPS 量子阱光跃迁光谱 C-V法 I-V法 小 结 掌握异质结基础知识, 认识到异质结与同质结的不同之处, 在实际工作中, 能够使用异质结构来提高器件的性能. 对发光器件, 超注入显然是一个很好选择. 每组实验数据或曲线的变化, 都对应着相应的机理的变化, 学会观察和分析方法. 异质结I-V特性: 以pN结为例 扩散模型: 宽带材料中能够克服势垒的电子在窄带边界聚集, 然后以扩散方式向中性区运动 由N向p电子扩散流 由p向N电子扩散流: P区少子: 平衡时, 两个电子流相等: 外加正向偏压时: N-P电子流 P-N电子流: 总的N-P的电子流: 考虑界面处对载流子有一定的反射作用, 引入透射系数X, 且取 正向时: 势垒在结两侧的分配: 理想因子: 表示I-V特性偏离理想模型的程度. 同质结, 理想因子为1, 表示I-V特性严格按照扩散模型. 理想因子大于1, 表示I-V特性不完全由扩散模型决定, 存在界面态复合电流 . 在这里有异质势垒尖峰会使I-V特性偏离扩散模型. 理想因子只是将复杂的机理包含在一个笼统的因子中. 同质结I-V特性与理想模型的偏离 势垒主要落在杂质少的一边 耗尽层宽度： 耗尽层电荷 单位面积电容 异质结构特点: 载流子限制作用: 界面处在宽带一侧形成一个尖峰, 而在窄带一侧出现了一个能谷,尖峰的存在将阻止电子向宽带一侧运动. 势垒尖峰的位置由掺杂决定. 势垒主要降在掺杂浓度少的一边. 势垒的分布将由于不同的材料异质结构而不同. pN异质结，导带带阶较大，对p区电子向Ｎ区运动起势垒作用。 nP异质结，阶带带阶较大，对Ｎ区空穴向Ｐ区运动起势垒作用。 若干问题: 同型异质结：由于同型异质结中界面两边载流子类型相同，窄带一侧是电子的积累层，因此不能用耗尽层近似。 空间电荷密度将会随位置发生变化： pN异型异质结的修正： 当窄带一侧的能谷足够深，势垒对电子的限制作用，在靠近界面处出现了反型层，则Ｐ区的少子载流子－电子将对电位的分布产生影响，势垒阻档反型层中电子与宽带一侧多子交换，两边电子的费米能级将不能被拉平。泊松方程中电荷密度将改变，影响两侧势垒，电容等关系。 特点：物理性质的测量。 X射线光电子发射谱XPS 特点：物理性质的测量。 X射线光电子发射谱XPS ＸＰＳ测试价电子结合能 体材料参数 样品制备： N-Si substrate, 120nm Si buffer, 500nm Ge 表征： XRD, 测试样品的组份和驰豫度 XPS测试:Ge 3d, Si 2p core level to valence-band-edge binding energy. 例：XPS测试Si/Ge价带带阶 Applied Physics Letters 56(6), 560, 1990. 硅上完全应变锗:a||=5.431A deltEv=0.83eV (deltEv=0.74x) 锗上完全应变硅: a||=5.658A deltEv=0.22eV. 根据应变可计算出平面晶格 常数, 获得到结合能与晶格常 数的关系. -a/2 a/2 0 E V0 x 其中 ξ=2πa (2m*v0)1/2/h , q=2π(2m*(v0-Econf))1/2/h Econf本征能级到阱边的能差（束缚能） 量子阱光跃迁光谱 量子阱尺寸效应，若势阱不太深时，实际测量中很难测得激子谱峰，需要在极低温下进行。另外材料的纯度要求高。 量子阱吸收或光发射谱中会出现一系列的量子化的峰. 由于量子能级分裂与势阱的高度和量子阱尺度相关, 因此可以根据实验结果拟合出势阱高度. C-V法：测试简单，但若势垒高度较小时，引入的误差大(如同型异质结势垒)。 物理实质：是通过外加偏压的变化，空