半导体物理学第二章..ppt

半导体物理学 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中载流子的统计分布 半导体的导电性 非平衡载流子 pn结 金属和半导体的接触 半导体表面与MIS结构 半导体异质结 第二章半导体中杂质和缺陷能级 半导体偏离理想的情况： 第2章 半导体中杂质和缺陷能级 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级2.3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级 2.4 缺陷、位错能级 2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1替位式杂质 间隙式杂质 2.1.2施主杂质、施主能级 在纯硅中掺入5价的磷P，磷的5个价电子中的4个形成了共价鍵，剩余一个价电子+多余一个正电荷中心P+。 价电子束缚在正电中心P+周围，此价电子很容易挣脱束缚，成为导电电子在晶格中运动，因磷离子为不动的正电荷中心，基本不参与导电。这种电子脱离杂质束缚的过程称为“杂质电离”。电子脱离束缚所需要的能量为“杂质电离能?ED”。 V族杂质能够施放(提供)导带电子被称为“施主杂质”或n型杂质。将施主束缚电子的能量状态称为“施主能级”记为ED。施主能级离导带底Ec的距离为?ED。 结论：掺磷(5价)，施主，电子导电，n型半导体。 2.1.3 受主杂质 受主能级 在硅中掺入3价的硼B，硼原子有3个价电子，与周围四个硅原子形成共价鍵，缺少一个电子，必须从周围获得一个电子，成为负电中心B-。 硼的能级距价带能级顶部很近，容易得到电子。 负电中心B-不能移动；而价带顶的空穴易于被周围电子填充，形成空穴的移动，即“导电空穴”。 这种能够接受电子的杂质称之为“受主杂质”，或P型杂质。 受主杂质获得电子的过程称之为“受主电离”； 受主束缚电子的能量状态称之为“受主能级EA”； 受主能级比价带顶EV高“电离能?EA” 。 电离能的大小： 硅中掺磷为0.044，掺硼为0.045(eV)。 锗中掺磷为0.0126，掺硼为0.01(eV)。 这种电离能很小，杂质可以在很低的温度下电离。故称之为“浅能级杂质”，在室温几乎全部电离。 杂质能级用短线表示，因杂质浓度与硅相比很低，杂质原子相互之间几乎无作用，杂质能级相同，量子的排斥原理对低浓度的杂质掺杂不起作用。 2.1.4浅能级杂质电离能的简单计算 氢原子 替换 类氢杂质 氢原子玻尔轨道半径为 ?，根据杂质类氢模型将 代替 ，以 代替 ，可得杂质等效玻尔半径 ， 同理 受主电离能 例题 硅中掺入某种施主杂质，设其电子有效质量 ,计算电离能为多少？若 ，其电离能又为多少？这两种值中哪一种更接近实验值？ 解答：利用类氢原子模型： 由实验知，Si中施主电离能在 ，所以后者接近实验值。 2.1.5 杂质的补偿作用 同时掺入P型和n型两种杂质，它们会相互抵消。 若NDNA,则为n型半导体，n= ND-NA ； 反之为P型，p= NA-ND。 其净杂质浓度称之为“有效杂质浓度”。（有效施主浓度；有效受主浓度） 值得注意的是，杂质的高度补偿（ ）即当两种杂质的含量均较高且浓度基本相同时，材料容易被误认为是“高纯半导体”，实际上，过多的杂质含量会使半导体的性能变差，不能用于制造器件。 半导体器件和集成电路生产中就是利用杂质补偿作用，在n型Si外延层上的特定区域掺入比原先n型外延层浓度更高的受主杂质，通过杂质补偿作用就形成了p型区，而在n型区与p型区的交界处就形成了pn结。如果再次掺入比p型区浓度更高的施主杂质，在二次补偿区域内p型半导体就再次转化为n型，从而形成双极型晶体管的n-p-n结构。 非Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge禁带中也产生能级，其特点为： 非Ⅲ、Ⅴ族元素在Si、Ge禁带中产生的施主能级ED距导带底Ec较远，产生的受主能级EA距价带顶Ev较远，这种杂质能级称为深能级，对应的杂质称为深能级杂质。 深能级杂质可以多次电离，每一次电离相应有一个能级，有的杂质既引入施主能级又引入受主能级。所以，一个深能级杂质能产生多个杂质能级。如I族的铜、银、金能产生三个受主能级；II族元素锌、镉、汞在硅、锗中各产生两个受主能级。 金在锗中的多能级 金 是1价元素，中性的金有一个价电子。在锗中，金的价电子若电离跃入导带，则成为施主。然而，此价电子被多个共价键束缚，电离能很大，故为“深施主”。另一方面，金比锗少三个电子。锗的整体结构要求每个原子为四价，因此，金有可能接受三个电子，形成EA1、 EA2、EA3三个受主能级。当金接受了一个电子后，成为Au-，再接受一个电子将受到负电中心的排斥作用，难度更大。因而受主能级EA2将更大。 EA3最大