存储器部件..ppt

第七章存储器部件 一、主存储器 主存储器用于存储处在运行中的程序和相关数据 主存储器又称为内存储器(内存) 主存储器的容量与读写速度，对计算机总体性能有重大影响 一、主存储器 在现代计算机中，主存储器处于中心地位： 正在执行的程序和数据都存放在主存储器中，CPU直接从主存储器中读取指令和数据 越来越多的数据，通过DMA方式，直接在外设与内存之间交换数据 共享存储器的多处理机，通过存储器实现通信 二、存储器分类 按存储介质分类： 半导体存储器 磁表面存储器 光盘存储器 二、存储器分类 按存取方式分类： 随机访问存储器RAM 只读存储器ROM PROM：可编程ROM EPROM：可擦除的可编程ROM EEPROM：电可擦除的可编程ROM 顺序访问存储器 二、存储器分类 按功能效用分类： 主存储器 辅助存储器(包括外存) 高速缓冲存储器 三、存储器性能指标 存储速度：将数据存入/取出存储器的速度 存储容量：存储器以字节(或者位)为单位，能存储数据的多少 单位价格：每个存储位所费的价格 四、三级结构的主存储器系统 从速度上看，高速缓冲存储器存取速度最快，但价格最贵 从单位价格上看，硬盘等设备的价格最便宜，但速度最慢 主存储器的速度和单位价格介于高速缓冲存储器和硬盘等外存之间 四、三级结构的主存储器系统 三级结构的主存储器系统： 主存储器(内存) 高速缓冲存储器 虚拟存储器 三级主存结构统一管理、一体化调度 四、三级结构的主存储器系统 三级结构自上而下： 访问时间逐渐增长 存储容量逐渐增大 单位价格逐渐减少 一、主存储器组成 主存储器通过地址总线、数据总线、控制总线与计算机的CPU和外围设备连接在一起 一、主存储器组成 主存储器由两部分组成： 只读存储区ROM：存储内容固定不变的程序和数据，如操作系统的引导区、硬件诊断等 随机读写存储区RAM：存储正在运行的程序和相关数据 一、主存储器组成 RAM存储器芯片分成两类： 动态存储器DRAM 静态存储器SRAM 二、动态存储器 动态存储器(DRAM)是用金属氧化物半导体(MOS)的单个MOS管来存储1位二进位(bit)信息 信息被存储在MOS管T的源极寄生电容Cs中 Cs有电荷表示1 Cs无电荷表示0 二、动态存储器----写数据 写数据时，先使字线为高电平，此时T导通 写1：数据(位)线为低电平，若电容Cs未存储电荷，则电源VDD向电容Cs充电 写0：数据(位)线为高电平， 若电容Cs存有电荷，则通过 位线放电 二、动态存储器----读数据 读数据时，先使数据(位)线预充电至高电平，当字线的高电平到来后，T导通 读1：存储在电容Cs的电荷，通过数据(位)线放电，使数据线的电位由高变低 读0：电容Cs中没有存储电 荷，数据线的电位没有变化 (保持为高电平) 二、动态存储器----读数据 动态存储器读出时信号很小，在位线上必须接上一个高灵敏度的读出放大器，通常用具有极强正反馈能力的触发器线路实现 读出放大器是一个再生放大器 读出放大器在读出数据的同时，自动地使该单元的存储信息恢复 二、动态存储器----读数据 动态存储器读1时，电容Cs中的电荷将消失，即读出是破坏性的(即破坏性读出) 为了保持读出后，动态存储器中的信息不变，必须立即将读出的内容写回动态存储器，这由读出放大器自动完成 二、动态存储器----刷新 动态存储器的信息存储是靠MOS管源极的电容Cs实现的，而电容Cs漏电会使保存的信息丢失 为了使电容Cs的电荷不随时间而损失，必须定期(2ms)，对所有存储单元进行一次刷新操作 刷新操作采用读操作实现 刷新操作以行(对应于字线)为单位执行，因此刷新时，只需要提供行地址即可 三、静态存储器 静态存储器(SRAM)用双稳态触发器线路记忆数据信息 静态存储器在读出过程中，数据不会发生变化 通常用6个MOS管(T1～T6)组成存储1位二进制信息的存储单元 三、静态存储器 MOS管T1和T3、T2和T4分别组成一个反相器，它们的输入/出交叉耦合成1位触发器，用于记忆1位信息 信息1：T1管导通(T2管截止)，T1管的输出为低电平，表示1 信息0：T1管截止(T2管导通)， T1管的输出为高电平，表示0 三、静态存储器----写数据 写操作时，通过两条位线提供写入的数据信号 写1：位线1送低电平，位线2送高电平；当字线送来高电平时，MOS管T5和T6导通，使触发器变为1状态 写0：位线1送高电平，位线2 送低电平；当字线送来高电平 时，MOS管T5和T6导通，使触 发器变为0状态 三、静态存储器----读数据 读操作时，先使两条位线预充电至高电平 读1：当字线送来高电平时，MOS管T5和T6导通，触发器输出端与两条位线相连通，位线1通过T5产生流向T1的电流，出现