MOCVD生长的高质量掺碳GaAsAlGaAs材料的特性研究.pdf

第2l卷第1期 半导体学报 V01．2l，No1 CHINESE OFSEMICoNDUCToRSJan．，2000 2000年1月 JoURNAL 材料的特性研究+ 廉鹏邹德恕 高 国殷涛 陈昌华徐遵图 陈建新沈光地 (北京工业大学电子工程系和北京市光电子技术实验室 北京 100022 曹青马骁宇 陈良惠 (中国科学院半导体研究所 北京 100083) 摘要利用低压金属有机化合物汽相淀积方法．以液态ccl．为掺杂源生长了高质量的碳掺杂 GaAs／AlGaAs外延材料，研究了CCl．流量、生长温度和V／I比等因素对外延材料中的碳掺杂 水平的影响．采用电化学cv方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和x射线双晶衍射回摆曲 线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行r研究．实验制备丁空穴浓度高达1．9× 10”cm a的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al。。Ga¨ As外延层．在材料研究的基础上，我们以碳为P型掺杂剂生长了GaAs／AlGaAs／InGaAs应变 量f阱980Dm太功率半导体激光器结构，并获得了室温莲续工作】w以上的光功率输出． 关键词：GaAs／Alca舡，MocVD，碳掺杂 EEAcc：25；o，2550B，4320J 4177(2000)ol—0044—07 文章编号：0253 of Carbon GaAs／AlGaAs HighQuality Doped Property GrownMOCVD’ Materialsby Tao·CHEN I，lAN De—shu，GAOGu。，YIN Cha“g—hua Pe“g，ZoU XU andSHEN Zun—tu，CHENJian—xin Gua“g—di tⅨ抛nt帕tt可E}“tr州cEngi…g，B￡i如gPd矿ech赫cU删r“姆 ∥ 100022，西I瑚) d材B吐衲gG争f埘如f棚ff厶6晰r哪r，啊”g scienceF0undationof NaturalSc】encesFoundatlon。fBelJIng- NatlonalNaturaI Chj…ndby (Pr0Jectsupportedby Scl㈣and of Co…tteeof lt…Hl小Tech∞logySub】¨tBcljIⅡg Technology) 廉鹏男，1971年出生，博士研究生．现从事M()cVD材料生长厦半导体激光器研究工作 邹德恕男，1940年出生，研究员，长期从事微电子及光电子器件的研究工作 到，1999，0126定稿 万方数据 l期 廉 鹏等： MOcVD生长的高质