InN半导体纳米晶相变活化能的研究.pdf

第38卷第2期 山东大学学报(工学版) 2008年4月 V01．38No．2 lo、豫N地OFSHANDONGUNIVERSITY(ENGINEERINGSCIENCE) Ap．2008 文章编号：1672-3961(200B)02-0042-03 InN半导体纳米晶相变活化能的研究 王建平1，王淑华2，耿贵立3 (1．山东商业职业技术学院工程技术系，山东济南250103；2．山东建筑大学机电学院，山东济南250101； 3．山东大学材料科学与工程学院，山东济南250061) 摘要：导出了相变活化能E与加热速率西和峰值温度瓦的关系表述式．用差示扫描量热分析法，研究了hN半导 体纳米晶在不同加热速率条件下由室温立方相向高温六方相转变的特征参数乙．然后根据导出的关系表达式和 实验数据。计算所得的h|N半导体纳米晶由立方相转变为六方相的相变活化能为E=1．3466×103kJ／m01． 关键词：InN半导体纳米晶；差示扫描量热法；相变；活化能 中图分类号：TB94；TB99。文献标志码：A onthetransformationactivationinInN Study energy semiconductor nanocrystals WANG Shu一蚶，GENGGui．1i3 Jian．pin91，WANG BusinessVocational-Technical (1．EngineeringDepartment，Shandong School，Jinan250103，‰； ofMechanicalandElectronic Jianzhu 2．College Erlgir联斌llg，ShandongUniversity，Jinan250101，China； 3．School0fMaterialsScienceand 250061，China) Engi,僦,ing，ShandongUniversity，Jinaa ktweelltransfommfionactivation rate垂and induced． AI删：11le E，heatiIlg peak relatiomhip energy temperature乙WSB The flx，mtheloom cubic the tern- characteristic studied high duringthe牌0fcha．sing temperatureplll雠to para／nG抛r墨was InN at in differential different pemmrek嬲删phasesemiconductor瑾mocry啦alsb，r acarmingcalorimetry k崩119rates．Acc嗽 totheinduced and calculatedtransfonmfionact