晶体管放大器设计喀什师范学院学工部..ppt

晶体管放大器 一、实验要求 学习晶体管放大电路的实验方法； 掌握晶体管放大电路静态工作点设置与调整方法； 掌握晶体管放大电路性能指标的测试方法及安装与调试技术。 了解负反馈对放大电路性能的影响。 学习用pSpice软件对电路进行模拟仿真。 二、实验原理 解：(1) 拟定电路方案 (2) 设置Q点并计算元件参数 (3) 画出电路带参数的电路图 三、电路安装与调试 1. 静态调试：Q点测量与调整 2. 动态调试：Q点测量与调整 2. 动态调试：Q点测量与调整 四、主要性能指标及其测试方法 BW 的测试方法: 五. 电路参数修改 六、实验步骤与要求 * 一、实验要求 四、主要性能指标及其测试方法 三、电路安装与调试 五、电路参数修改 二、实验原理 六、实验步骤与要求 三极管放大器中广泛应用的是分压式射极偏置电路。电路的Q点稳定， Q点主要由RB1、RB2、RE、RC及+VCC所决定。 温度T ? ? IC? ? IE? IC? ? VE?、VBQ不变 ? VBE ? ? IB? （反馈控制） 若I1 IBQ ， VBQ VBE 工作点稳定的必要条件： I1IBQ ，VBQVBE 一般取 RE愈大，直流负反馈愈强，电路的稳定性愈好。一般取 设计小信号放大器时，一般取 ICQ = (0.5~2)mA， VEQ = (0.2~0.5)VCC RC由RO或AV确定： RC ≈ RO 或 RC 如果放大器下限频率fL已知，可按下列表达式估算电容CB、CC和CE： 通常取CB = CC，用上面两式算出电容值，取较大的作为CB（或CC）。 选择电路形式及晶体管 采用分压式射极偏置电路，可以获得稳定的静态工作点。 因放大器上限频率fH100 kHz，要求较高，故选用高频小功率管3DG100，其特性参数 ICM=20mA，V(BR)CEO≥20V，fT ≥ 150MHz 通常要求 的值大于AV的值，故选 要求Ri?1kΩ，而 取ICQ = 1.5 mA 依据指标要求、静态工作点范围、经验值进行计算 若取VBQ = 3V，得 取标称值，RE=1.5 kW 因 , 为使静态工作点调整方便，RB1由30kW固定电阻与100kW电位器相串联而成。 综合考虑，取标称值，RB＝1.5 kW。 因 ICQ＝1.5mA， 要求AV40, 由 得 计算电容为： 取标称值，CC = CB = 10mF 取标称值，CE = 100mF 根据上述设计，得到放大器的电路图如下： 首先在面包板上组装好电路，参考上图搭接好实验测试平台。 然后进行电路调试： 静态调试 动态调试 （1）接通电源，将电路输入端接地，测量电路的静态工作点。 （2）用万用表直流电压档，分别测量晶体管的B、E、C极对地电压VBQ、VEQ及VCQ。 （3）一般VBQ＝（3～5）V，VCEQ＝正几伏。 如果出现VCQ ? VCC，说明晶体管工作在截止状态； 如果出现VCEQ ? 0.5V，说明晶体管已经饱和。 （4）调节电位器RP1，使VCEQ＝正几伏，此时说明晶体管基本工作在线性放大状态。但Q点不一定是最佳的，还要进行动态波形观测。 （5）给放大器送入规定的输入信号，如ViPP =28mV，fi = 1kHz的正弦波。 （6）用示波器观察放大器的输出vo。 若vo波形的顶部被压缩，这种现象称为截止失真，说明Q点偏低，应增大基极偏流IBQ，即增大ICQ。 若vO波形的底部被削波，这种现象称为饱和失真，说明Q点偏高，应减小IBQ ，即减小ICQ 。 （5）给放大器送入规定的输入信号，如ViPP =30mV，fi = 1kHz的正弦波。 （6）用示波器观察放大器的输出vo。 （8）增大输入信号（如ViPP =120mV）， vo无明显失真，或者逐渐增大输入信号时， vo顶部和底部差不多同时开始畸变，说明Q点设置得比较合适。 （7）调节RB1，使放大器的输出vo不失真。 （9）此时移去信号源，分别测量放大器的静态工作点VBQ、VEQ、VCQ，并计算VCEQ 、ICQ。 晶体管放大器的主要性能指标有 电压放大倍数AV 输入电阻Ri 输出电阻Ro 通频带BW＝fH－fL 1、电压放大倍数AV 理论计算 在波形不失真的条件下，用示波器测量放大器输入电压与输出电压的值。 实验测试 测出Vi (有效值)或Vim(峰值)及Vip-p（峰-峰值）与Vo(有效值)或Vom(峰值) Vop-p（峰-峰值），则 2、输入电阻Ri 理论计算 实验测试 串联一个已知电阻R 在输出波形不失真情况下，用晶体管毫伏表