材料物理性能电..pptVIP

2 材料的物理性能 3.1 材料的电学性能 3. 半导体 (10-2 —109 ?cm) 在绝对零度下，大多数半导体的纯净完整晶体都是绝缘体。它的能带填充情况和绝缘体相同。差别仅在于： 禁带的宽度 E g 2 e V，而绝缘体 Eg 3-6 eV。 ( Ge = 0.74 eV，Si = 1.17 eV) 半导体的能隙将满带和空带隔开，在弱电场的作用下，不导电。 当温度升高时, 半导体中的电子受热激发(产生光子)，把满带(价带) 的电子激发到本来是空的能带，即从价带跃迁到导带。 1）晶体的对原胞内包含奇数个价电子—必为导 2）晶体的对原胞内包含偶数个价电子： a) 如果存在能量交叠，晶体是导体或半金属； b) 如果不存在能量交叠， 禁带窄的晶体就是半导体； 禁带宽的晶体就是绝缘体。 3.1.2 导电性 一、金属电导 主要以电子、空穴作为载流子导电 当电子波通过完整晶体点阵时 (0K)，将不受散射，电阻为0； 为无穷大； 在晶体点阵完整性遭到破坏的地方，电子才受到散射，形成金属的电阻。 电阻率与温度的关系 理想金属在0K时电阻为0，当温度升高时，电阻随温度单调增加；当有杂质和结构缺陷时，电阻与温度的关系曲线发生变化。 电阻率与压力的关系 在流体静压力压缩时，金属原子间距缩小，内部缺陷形态、电子结构和能带结构都将发生变化，因而影响金属的导电性能。 按压力对金属导电性的影响，金属分为： 正常金属：随压力增大，电阻率下降； 反常金属：随压力增大，电阻率上升； 大多为碱金属和稀土金属 冷加工和缺陷对电阻率的影响 冷加工引起晶格畸变，增加电子散射几率，导致金属电阻率增加。 电阻率的各向异性 对称性高的金属的电阻表现为各向同性；对称性差的晶体，其导电性表现为各向异性。 固溶体的电阻率 一般来说，固溶体形成时，晶格势场的周期性被破坏，合金的导电性能降低。在连续固溶体中合金成分距组元越远，电阻率越高。 有序转变时，电阻率也发生变化： 二、离子电导 离子电导是带电荷的离子载流子在电场作用下的定向运动。电荷载流子一定是材料中最易移动的离子。 离子型晶体可分为两类： 本征导电——晶体点阵的基本离子，由于热振动而离开晶格，形成热缺陷，在电场作用下成为载流子参加导电。（高温时） 杂质导电——参加导电的载流子主要是杂质。 离子导电的影响因素 温度的影响 温度以指数形式影响其电导率。 随着温度从低温向高温增加，其电阻率的对数的斜率出现拐点，将整个区间分为高温区的本征导电，低温区的杂质导电。 离子性质、晶体结构的影响 离子性质、晶体结构对离子导电的 影响是通过改变导电激活能实现的。 熔点高的晶体，结合力大，相应的 导电激活能也高，电导率就低； 晶体结构的影响是提供利于离子 移动的通路。 点缺陷的影响 由于热激活，在晶体中产生Shottky缺陷或Frenkel缺陷，影响晶体中的扩散系数，以至影响到固体电解质的电导率。 此外，环境气氛变化，使离子型晶体的正负离子化学计量比发生变化，而生成晶格缺陷。如ZrO2中，氧的脱离形成氧空位。 快离子导体(FIC) 具有离子导电的固体物质称为固体电解质。 快离子导体——电导率比正常离子化合物的电导率高出几个数量级的固体电解质。 常见的快离子导体分为三组： 银和铜的卤族和硫族化合物——金属原子在这些化合物中键合位置相对随意； 具有?-氧化铝结构的高迁移率的单价阳离子氧化物； 具有氟化钙结构的高浓度缺陷氧化物； 快离子导体的电导率： 快离子导体的结构特征： 晶体结构的主体是由一类占有特定位置的离子构成； 具有大量的空位，这些空位数量远大于可移动的离子数； 亚晶格点阵之间具有近乎相等的能量和相对低的激活能； 在点阵间总是存在通路，以至于沿着有利的路径可以平移。 铁电体：在一定温度范围内能自发极化，且极化方向可随外电场作可逆转动的晶体 电滞回线：在铁电态下晶体的极化与电场的关系曲线 铁电畴：铁电体从顺电相转变为铁电相时自发极化一致的区域 2.压电材料 某些晶体在一定方向上施加机械应力发生形变，使介电体内正负电荷重心相对位移而极化，表面产生数量相等、符号相反的束缚电荷，束缚电荷密度与作用应力成正比,这种效应称为正压电效应 逆压电效应：对晶体在一定方向上施加电场，电场使介质内部正负电荷重心位移，则会产生形变，形变与电场强度成正比 正压电效应和逆压电效应统称压电效应 材料产生压电效应的原因 原子、离子或分子晶体必须具有不对称中心