SiC表面C 1s谱最优拟合参数的研究.pdfVIP

维普资讯 第 57卷 第 7期 2008年 7月 物 理 学 报 Vo1．57，No．7，July，2008 l0o0—3290／2008／57(07)／4125—05 ACTA PHYSICA SINICA @2008Chin．Phys．Soc． SiC表面 C1s谱最优拟合参数的研究* 马格林 张玉明 张义门 马仲发 (宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 ，西安 电子科技大学微 电子学 院，西安 710071) (2007年 10月 25日收到 ；2007年 12月24日收到修改稿) 提出了一种新的，用未限定拟合峰位置 、半高宽和峰面积 的x射线光电子谱拟合方法 ，研究了拟合峰的数 目、 函数类型及背景对 SiC表面 cls谱拟合结果的影响，并与样 品表面宽扫描 x射线光 电子谱和红外掠反射吸收谱相 对照，确定了SiC表面cls谱 的最优拟合参数 ，获得 了与文献 中数值相同的 cls束缚能．为SiC及其他材料表面元 素窄扫描 x射线光 电子谱 的拟合和化学态结构的鉴定奠定 了基础 ． 关键词：SiC，X射线光电子谱 ，CIs谱 PACC：3365，7960，0650D 的数 目、位置和半高宽外 ，拟合峰的峰型和背景等拟 1．引 言 合参数也会影响 C1S谱 的拟合结果 ．然而 目前还没 有这些参数对拟合结果有何影响及其如何确定的报 x射线光电子谱 (XPS)是一种无损 、快捷的化学 道 ．本文用未限定位置 、半高宽和峰面积的拟合峰， 态表征方法 ，被广泛地用于 SiC等材料的氧化机理 、 研究了拟合峰的数 目、峰型和背景等对 SiC表面 c 金属化机理 、掺杂机理 、生长等的研究之 中 ．SiC 1s谱拟合结果的影 响，并将拟合结果与样品表面的 样品表面化学态 的类型取决于其光 电子峰 的位置 ， XPS宽扫描谱和红外掠反射 吸收谱相对照 ，确定 了 化学态浓度依赖于其光电子峰 的面积 ，而光 电子峰 SiC表面c1s谱的最优拟合参数，得到了SiC样品表 的位置和面积是通过拟合样 品表面窄扫描 XPS谱 面化学态的数 目及与文献相同的c1s束缚能 ，为表 确定 ．目前常用的XPS谱拟合方法中，光 电子峰 的 面其他元素 (如 Si，0)XPS窄扫描谱 的拟合 ，化学态 数 目、位置 、半高宽等拟合峰参数都是提前设定 的类型 、数 目的确定奠定基础 ．这里需要指出的是， 的 ．但我们发现 ：1)不同文献所设定 的SiC的 C1S 本文中，拟合峰是指拟合时所用的峰；分峰是指拟合 束 缚 能 值 不 同，其 取 值 范 围为 282．4—284．1 均方差不再变化时 ，拟合结束后的峰 ． eV ；2)同一束缚能值在不同文献 中被指定给 了 不同的化学态 ，如 285．0±0．2eV，一些认为它来 自 2．实验与结果 于外来碳或石 墨相 ’’”，而另一些则认为它来 自 SiC：02is]SiC0416]或 s2cHR ．这 意昧着 即使这 实验所用 的样品为表面未经处理 的 Cree公司 ， 种拟合方法正确 ，但拟合峰的位置难 以确定 ，拟合后 商用4H—SiC外延片 ，其尺寸为 1cm×1．2cm×0．038 的化学态难以鉴定 ．预先设定拟合峰 的数 目和位置 cm．样品表面的宽扫描谱和原位窄扫描谱 ，是在西 (或半高宽)使 XPS失去 了定性分析方面 的必要性 ， 安理工大学材料测试 中心用 AxisUltraKra