與直接能隙(directbandgap)。.ppt

2.1 半導體能帶的形成和意義 2.1.1 能帶(energy band)形成的起源 根據基本的原子模型理論，每一個原子中的電子可存在於特定且彼此分離的能階，如圖2-1所示，在庫倫吸引力的條件下， 當二個原子彼此靠近時，此二個原子中的電子的波函數會開始重疊，也就是這二個原子之間開始互相影響，這種交互作用或是微擾會使原本原子中各自單一分立的能階一分為二，如圖2-2中的二個原子的狀態，這種一分為二的結果也符合庖立不相容原理的要求。 在晶體中，實際的能帶分裂情形比圖2-2要複雜得多。例如，圖2-3表示Si的能帶分裂的狀況。 在圖2-7的E-k圖表中可知連續能量態的範圍稱之為能帶，而能帶與能帶之間禁止電子存在的範圍即為能隙。 圖2-8分別顯示了Si和GaAs的能帶結構。 這二種材料的能帶結構剛好分別屬於間接能隙(indirect bandgap)與直接能隙(direct bandgap)。 2.1.3 半導體E-k關係圖的意義 (1) E-k關係圖 當溫度T = 0K時，所有的電子從最低的能帶開始往上填，直到價電帶被填滿，如圖2-9(a)所示，此時價電帶的最高點為Ev，而上方導電帶的最低點稱為Ec，此時導電帶中沒有電子存在，因此無法導電。 (2) 有效質量(effective mass)與電洞(hole)的概念 在接近k＝0時，導電帶與價電帶的曲線開口互為上下如圖2-9所示，因此所得到的有效質量在導電帶中為正，而在價電帶中卻有“負”的有效質量出現。 圖2-10顯示了GaAs以拋物線近似繪製出的複雜能帶結構圖。 光學躍遷的過程還和半導體的能帶結構相關，如圖2-11所示，半導體材料的能帶結構可分為直接能隙(direct bandgap)和間接能隙(indirect bandgap)二種。 2.1.4 影響能隙大小的因素 當半導體受到靜電場的影響時，能隙大小也會跟著改變。如圖2-12(a)，在熱平衡下，一半導體的能隙為Eg，若施以一由右至左的電場時，原本的熱平衡條件受到破壞，而產生如圖2-12(b)之由左向右傾斜的能帶，此能帶 不同的侷限結構具有不同的能態密度形式，我們統整在表2-3中，這些不同的形式會對半導體雷射或發光二極體造成不同的影響。 2.2.2 載子統計函數 傳統上可分為三種不同的粒子分佈函數： (1) Maxwell-Boltzmann機率函數 (2) Bose-Einstein機率函數 (3) Fermi-Dirac機率函數 為了要瞭解上式Fermi-Dirac機率函數的意義，我們可以先繪製出在不同溫度下此函數的圖形，如圖2-15所示。 2.3.3 本質半導體 所謂的本質半導體(intrinsic semiconductor)是指一單晶結構中沒有摻雜其它的元素，在T = 0K時，電子會將價電帶填滿，而導電帶為空態，此時的Fermi-Dirac機率函數為「步階」型式。 當溫度T 0K時，價電帶上方的電子受到熱的激勵，獲得足夠的能量而向上躍遷到導電帶，如圖2-19。 2.3.4 外質半導體 若在單晶材料的本質半導體中加入其它種元素，我們稱為摻雜(doping)，而含有這些雜質的半導體則被稱為外質半導體(extrinsic semiconductor)。 由圖2-21(b)與圖2-22(b)的能帶圖可知，若溫度為0K時，電子和電洞沒有足夠的能量可以躍遷或游離至導電帶和價電帶形成自由載子，而隨著溫度的昇高，自由載子的數目才會逐漸增加直到完全游離為止。 圖2-27顯示了在不同溫度下半導體中電子的濃度。 2.3.5 簡併(degenerate)半導體 外質半導體中，假設半導體中所加入的摻雜原子的數目不多，彼此之間並沒有交互作用，我們可將摻雜原子的能隙視為一獨立的能階，如Ed或Ea，這種外質半導體，又稱為非簡併半導體。 當摻雜的濃度高於有效能態密度時，費米能階將位於導電帶或價電帶中，稱之為簡併半導體。 由於載子濃度高，費米能階位於導電帶或價電帶中，如圖2-28所示n型簡併半導體，因為Ef 在Ec之上，在計算電子濃度n時，宜使用Joyce-Dixon近似或Fermi-Dirac積分式方能得到較精確的結果。 2.4 準費米能階 圖2-29是載子在熱平衡和在非熱平衡高注入的狀況下分佈的情形。 圖2-30是電子電洞對在光激發下產生之後，迅速地和晶格原子碰撞損失能量之示意圖。 準費米能階的示意圖如圖2-31，可知在熱平衡的條件之下圖2-31中只有一條費米能階，也就是Ef = Efn = Efp，當有多餘載子注入時，Efn和Efp開始分裂並分別向導電帶和價電帶移動。 2.5 載子傳輸行為 載子在能帶中的傳輸或移動需要二個條件： 其一是需有部份填滿的能帶供載子移動，因為若在完全填