硅纳米孔柱阵列结构和光学特性研究.pdfVIP

第 54 卷 第 5 期 2005 年 5 月 物 　理 　学 　报 Vol. 54 ,No. 5 ,May ,2005 ( ) 10003290200554 05 235206 ACTA PHYSICA SINICA 2005 Chin. Phys. Soc. 硅纳米孔柱阵列的结构和光学特性研究 许海军 　富笑男 　孙新瑞 　李新建 (郑州大学物理系 ,材料物理教育部重点实验室 ,郑州 　450052) (2004 年 8 月 20 日收到 ;2004 年 9 月 20 日收到修改稿) ( ) 　　采用水热腐蚀技术在单晶硅衬底上制备出一种新的硅微米/ 纳米结构复合体系 ———硅纳米孔柱阵列 SiNPA , 并对其表面形貌 、结构及光学特性进行研究. SiNPA 的结构复合性体现为在微米和纳米两个尺度上形成了三个分 明的结构层次 ,即微米尺度的硅柱阵列结构 、硅柱上的纳米多孔结构以及组成孔壁的硅纳米晶粒. 积分光反射谱和 荧光光谱测试表 明 , SiNPA 具有 良好 的光吸收和光致发光特性. 依据 Si - NPA 积分反射谱 的实验数据 , 采用 KramersKronig 变换关系计算得到了 SiNPA 的复折射率和复介电函数 、吸收系数等光学常数 ,并由此讨论了 SiNPA 相对于单晶硅的光学特性发生显著变化的原因. 最后 ,通过分析 SiNPA 的光吸收系数与入射光子能量之间的关系 , 揭示出 SiNPA 具有直接带隙半导体的电子结构特征 ,而且理论计算得到的 SiNPA 的带隙能与其光致发光谱的峰 位能很好符合. 关键词 : 硅纳米孔柱阵列 , 光学特性 , 电子结构 , 水热腐蚀 PACC : 7820D , 6820 , 7125W 变换关系计算了 SiNPA 的复折射率 、复介电函数和 1 引 言 吸收系数等光学常数 ,并据此计算分析了 SiNPA 的 电子结构特征. ( ) 十年来 ,多孔硅 porous silicon , PS 因其在光 电 子技术领域潜在的应用前景引起了人们很大关注 , 2 实验过程 其制备技术 、形貌和结构特征 、物理特性及相关应用 都得到了较为深入的研究[1 —4 ] . 但是 ,用电化学阳极 ( ) St - NPA 通过水热腐蚀 111 取向的、电阻率为 氧化法制备的 PS 所具有的整体海绵状结构以及在 Ω 0015 cm 的p 型单晶片制备. 水热釜体积填充度约 制备过程中由于硅片表面电流分布 、孔的合并等造 为 88 % ,腐蚀液由 HF 酸和 Fe (NO3 ) 3 的水溶液按一 成的结构不均匀性 ,给 PS 的应用带来了困难. 如将 定比例混合组成. 腐蚀后样品先后用合适温度的去 PS 用作湿度和气体传感材料时 ,PS 的整体海绵结构 离子