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第四节 场效应晶体管（FET ） 晶体三极管是电流控制型器件，当它工作在放大状态时，必须给基极注入一定的基 极电流，放大信号时，需从输入信号源中吸取信号源电流，所以晶体管的输入阻抗低。 场效应晶体管(FET)是一种电压控制型器件，它利用输入电压在半导体内产生的电场效 应来控制输出电流的大小。场效应管的输入端几乎不吸取信号源电流，有极高的输入电 8 15 阻，一般可达10 ～10 Ω。场效应管还具有噪声低，受温度、辐射影响小，制造工艺简 单，便于大规模集成等优点，因此得到广泛应用。 场效应管根据结构不同可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)两 大类，每一类又有N 沟道和P 沟道之分。 一、结型场效应晶体管(JFET) 1．结构和符号 N沟道结型场效应晶体管的结构如图1-4-1 所示,在N型半导体两侧 制作两个高掺杂的P区,用PP+表示，从而形成两个PN结，把两侧的P 区连接在一起，引出 一个电极，称为栅极(G)，在N型半导体两端各引出一个电极，分别称为源极(S)和漏极(D)， 夹在两个PN结中间的N型区是载流子从源极流向漏极的通道，称为导电沟道。这种导电 沟道是N型半导体，称为N沟道结型场效应管，其电路