现代电子材料与元器件5精品.ppt

5.4.2 LD 4 应用 激光器是现代光纤通信应用的必不可少的光源，其主要优点是有很宽的带宽。由于光纤的特性，故用于光纤通信的最佳波长选择在1.3到1.5μm之间。已经证明调制率高于20Gb/s，相关的应用有定向射束通信（如卫星之间的通信）。 激光器也可以用于激光雷达系统、地形断面测距仪、军事导航、跟踪和制导系统以及入侵告警系统。 能够存储和恢复三维图像的全息照相技术也是其重要的应用领域。 高度定向射束能有效应用于精密对准，而且在极高功率密度下可用来切割金属、钻孔（也用于木材和陶瓷）和焊接。 5.4.2 LD 4 应用 激光束可烧断集成电路中用于连接的金属互连。 激光器还可在医学领域用于外科手术，如视网膜修复及癌变的探查。对于化学放射光谱分析如废气和污染分析（3-12μm波长）及气象学，它也是很好的分析工具。 在一般商业应用中，它已广泛应用于小型音频光盘（CD）和视频光盘（DVD）播放机、复印机及打印机。 5.6 半导体光电探测器 半导体光电探测器是一种将光信号转变成电信号的半导体器件。 探测器 光子探测器 光热探测器 单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小直接影响内部电子状态的改变。 探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升，温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。 外光电效应（光电发射效应） 内光电效应 本征型光电效应 非本征型光电效应 内光电效应 温度变化 体积变化 电阻变化 电势变化 热释电效应 5.6 半导体光电探测器 光子器件 热电器件 响应波长有选择性，一般有截止波长，超过该波长，器件无响应 响应波长无选择性，对可见光到远红外的各种波长的辐射同样敏感 响应快，吸收辐射产生信号需要的时间短，一般为纳秒到几百微秒 响应慢，一般为几毫秒 5.6 半导体光电探测器 各种不同类型的光电探测器的性能由其量子效率、频率响应及响应灵敏度决定。 在这里所讨论的半导体探测器是本征型的，即半导体中所产生光子的能量接近半导体的禁带宽度。而非本征光电探测器是用来检测能量小于禁带宽度的光，这依赖于深能级陷阱，或者是量子阱中不同的能级。 本节讨论的探测器有光电导、结型如p-i-n二极管、MSM（金属-半导体-金属）型光电探测器和APD（雪崩击穿二极管）。 5.6 半导体光电探测器 在半导体光电探测器中，其所吸收的光子所具有的能量大于或等于Eg 入射光所产生的光电流 探测器的量子效率η定义为一定数量的入射光子所产生的空穴-电子对的数量 5.6.1 光电导探测器 它是开发的第一种量子光电探测器，在此之前的很长一段时期内都只有光热电探测器。1873年，Smith发现了硒的光电导性。 典型结构 InSb、HgCdTe材料 两个接触之间的水平部分暴露在光照下。在这种结构中，通常为轻掺杂的有源半导体层淀积在半绝缘衬底上，形成外延异质结构。 5.6.1 光电导探测器 特性 入射光子的能量高于半导体Eg，半导体电导率随之增加。被半导体所吸收的光会产生空穴-电子对，这会导致电导率的增加。在外加电场的作用下，所产生的空穴和电子在复合前被分离，且在相应的电极上进行复合。 暗电流 光电流 增益 5.6.1 光电导探测器 增益随τ、μ、V和1/L2而增加。在实际器件中，容易得到约为1000的增益。 为使增益最大，偏置应该较高，但通常受到击穿机理和空间电荷的限制。工作电压可以从数伏变化到数百伏。 载流子寿命τ应该长，但是又会降低器件的关断速度。在速度是重要因素的应用中，通过有意引入复合中心，可人为地缩短寿命，但以降低增益和灵敏度为代价。响应时间约为1ps的超高速光电导探测器已有报道。 在某些实际器件，金属接触为交叉指形，如图所示。这样便可利用大的W使感光面积最大，同时利用小的L提高增益。 5.6.2 p-i-n光电二极管 p-i-n光电二极管是最常用的光电探测器之一，有时简称为光电二极管。 20世纪40年代后期开发的p-n结可应用于许多光子器件，如20世纪50年代的光电二极管、太阳能电池及LED。 20世纪50年代后期开发的p-i-n光电二极管是对常规p-n结光电二极管的改进。 半导体反偏pn结的耗尽层引起空穴和电子的分离。当光子进入该器件，则会产生空穴-电子对。耗尽层的电场足够高以便可以分离空穴和电子，且把这些载流子送到各自主要载流子区域。 5.6.2 p-i-n光电二极管 典型结构 替换简单pn结结构的探测器的是p-i-n结构，区域“i”是指本征层，或是p-层，或是n-层。在没有偏压或是负偏压的情况下，耗尽层会延伸到