2-2半导体三极管精品.pptVIP

上节课内容提要   半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管（三极管） 2.2.1 三极管的结构及工作原理 2.2.2 三极管的基本特性 2.2.3 三极管的主要参数及电路模型 2.2.1三极管的结构及工作原理 双极型半导体三极管有两种类型:NPN型和PNP型。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 2. 三极管的电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。 可得如下电流关系式: IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN 3. 三极管的电流关系 (1)三种组态 双极型三极管有三个电极，其中一个可以作为输入, 一个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。 (2)三极管的电流放大系数 对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义: 2.2.2 三极管的基本特性 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 ① ②uCE≥1V uCB= uCE - uBE0，集电结已进入反偏状态，三极管处于放大状态，集电极更易收集电子，且基区复合更少， IB减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 但uCE再增加时，曲线右移很不明显。 2.输出特性曲线 它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当uCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如 uCE 1 V uBE=0.7 V uCB= uCE- uBE= 0.3 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由uCE决定。 当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 uCE ≥1 V uCB ≥0.3 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后uCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入比较平坦的区域， 略微上翘——基区宽 度调制效应。 （动画2-2） 输出特性曲线可以分为三个区域: 3.三极管的开关特性 (1)开关作用 截止状态 IB＝0，IC＝0，UCE＝VCC 饱和状态 IC＝ICS，VCE＝UCES＝0 上节课内容提要 2、三极管的电流分配与控制 保证三极管处于放大状态：发射结正偏、集电极反偏。 IE =IC+IB 3、三极管的电流关系 （1）组态 CE、CB、CC （2）电流放大系数 共基极直流电流放大系数。 它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。 共发射极直流电流放大系数 穿透电流 4、三极管的伏安特性 输入特性 输出特性曲线 饱和区：发射结正偏、 集电结正偏 放大区：发射结正偏、 集电结反偏 截止区：发射结反偏、 集电结反偏 5、三极管的开关特性 (2)三极管的开关时间 延迟时间td +uB2加入→0.1ICS 上升时间tr 0.1ICS→0.9ICS 存储时间ts - uB1 加入→0.9ICS 下降时间tf 0.9ICS→0.1ICS 2.2.3 三极管的主要参数及电路模型 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 (1)直流参数 ①直流电流放大系数 a.共发射极直流电流放