半导体半导体材料制备精品.pptVIP

第八章 半导体材料制备 主要内容 8.1 体单晶生长 8.2 晶片加工 8.3 扩散、离子注入 和外延生长 8.1 体单晶生长 一、熔体生长过程 由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的多晶硅。 8.2 晶片加工 纵向晶体管刨面图 NPN晶体管刨面图 一、扩散 三、外延生长 网络资源 半导体制造工艺介绍 （视频） / 《电子产品制造工艺》48/dianzi/ 《电工电子技术》/dgdzjs/ 四、腐蚀 腐蚀可除去磨片时造成的表面损伤层，减小晶片表面的抛光量，暴露出磨片过程中造成的表面划痕等缺陷。 Si常用酸性腐蚀剂： HNO3+HF 常用碱性腐蚀剂： KOH水溶液 五、抛光 抛光是晶片加工中一道非常关键的工序。一般采用化学机械抛光技术使晶片成为表面平整、无损伤的镜片。 晶片被贴在（用蜡或不用蜡）抛光铊上，欲抛光的表面与抛光布接触，采用碱性（NaOH）SiO2胶体化学机械抛光，晶片表面首先与分散在抛光布上的抛光液发生化学反应： 六、清洗 在前序过程中，由于物理或化学吸附作用，可能使晶片表面受到某些有机物、金属离子、灰尘、颗粒的沾污，必须通过清洗，且在“超净”环境下进行，得到合格的抛光片。 七、晶片的几何参数和参考面 几何参数：直径、厚度、 总厚度变化、弯曲度、平