半导体物理北交经典课件考研必备-前言精品.pptVIP

半导体物理学 北京交通大学 光电子技术研究所 前言 ●什么是半导体 ●半导体的分类 ●半导体的地位 ●半导体的发展 三、半导体材料的地位 几种主要半导体的发展现状与趋势 ● GaAs和 InP单晶 ●世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨。 （日本1999年的GaAs单晶的生产量为94吨， InP为27吨）。 以低位错密度生长的2～3英寸的导电GaAs衬底材料为主。 ● 研制直径3英寸以上大直径的InP 单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。 InP比GaAs ● 具有更优越的高频性能， ● 发展的速度更快； 但不幸的是 ●半导体超晶格、量子阱 III-V族超晶格、量子阱材料 GaAlAs/GaAs，GaInAs/GaAs， AlGaInP/GaAs； GaInAs/InP，AlInAs/InP， InGaAsP/InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟。 已成功地用来制造超高速、超高频微电子器 件和单片集成电路。 * * * * 娄志东 ●半导体的晶体结构和电子状态 ●杂质和缺陷能级 ●载流子的散射及电导问题 ●载流子的统计分布 本课程主要内容 1 ●非平衡载流子的产生、复合及运动规律 本课程主要内容 2 ●半导体的表面和界面 （pn结、金属与半导体接触、半导体表面与 MIS结构、半导体异质结构） ●半导体的光、热、磁、压阻等物理