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拟南芥抗低硼基的初步定位
拟南芥低硼忍耐基因的初步定位
摘要
随着模式植物拟南芥基因组测序的完成,利用拟南芥开展抗低硼胁迫基因的克
隆将有助于对植物低硼忍耐机理的认识,及作物硼营养性状的改良。本课题以拟南
芥中的一个抗低硼胁迫突变体Lbt为材料,通过正向遗传学的方法对该突变体进行
了生理及遗传分析,将抗低硼胁迫基因Lbt初步定位于第4染色体上,并找到了与
该基因紧密连锁的分子标记。主要结果如下:
1.拟南芥抗低硼胁迫突变体的遗传分析
将低硼忍耐型突变体Lbt与筛选得到的低硼敏感型单株1909进行杂交构建作图
所需的F2群体。通过对F1及F2代在低硼水平下表型的遗传分析可知,Lbt为单基
因隐性突变所致。
2.拟南芥抗低硼胁迫群体遗传连锁图谱构建
cM,标记
位点)分布在4个连锁群上的遗传连锁图谱,该遗传图谱总长度为317.14
cM。
间的平均距离为3.48
3.拟南芥抗低硼基因的初步定位
将抗低硼胁迫下各单株的表型作为质量性状或数量性状进行定位,抗低硼基因
且s01m04—1与目的基因间的遗传距离为2.9cM。该标记的测序结果,进一步验证了
该标记在图谱上位置的正确性。然而,测序结果也显示出在目标区段内两亲本间缺
乏具多态性的分子标记,不利于精确定位工作的进行。
关键词:拟南芥,低硼忍耐,图位克隆,分子标记,连锁分析
Abstract
With
the of
themodel
completion thaliana in
plantArabidopsis
genome
sequencing
for
lowboron
2000,studycloninggenes tolerancein willbenefitthe
Arabidopsis
of
understanding and
boron(B)tolerance ofBnutrient
geneticimprovement traitsin
this
crops.In mutantLbtwiththe
study,a oflow.B
tolerancewas
phenotype screemedin
was
Arabidops括.Lbt toa
gene mapped with markers01
region linkage m04.1.440on
chromosomeIV.Themain
resultswereshown
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