最新半导体物理(第五章).ppt

§5.5 陷阱效应 外加电场 ⒊稳态下的表面复合 若稳定光照射在一块均匀掺杂的n型半导体中，均匀产生非平衡载流子，产生率为gp。在小注入时，不考虑电场作用，稳态时非平衡载流子浓度△p满足方程： 即稳态非平衡载流子浓度: 5.8 连续性方程式 若上述样品的一端还存在表面复合，表面复合速度为S，则在这个面上非平衡载流子浓度比体内低，空穴要流向这个面并复合掉。 空穴遵循的连续性方程为： 该方程的通解形式为： 其中A、B、C为待定参数， 5.8 连续性方程式 设产生表面复合的位置为x=0处，则上面方程应满足以下的边界条件： （远离复合表面处非平衡载流子浓度基本不变） 式中sp为表面复合速度，p(0)是表面处总的空穴浓度，p0是平衡空穴浓度，上式表明扩散到表面的非平衡少数载流子浓度在该处全部复合掉。 （复合面处的空穴流密度大小 等于空穴的表面复合率） 5.8 连续性方程式 满足边界条件的参数A、B、C分别为： 最后得到： 5.8 连续性方程式 连续性方程的化简和边界条件的确定是求解非平衡载流子浓度的关键，可将以下四句话作为口诀： 稳态时间不出现 均匀