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RU3020H MOS.pdf
RU3020H
N-Channel Advanced Power MOSFET
MOSFET
Features Pin Description
• 30V/ 12A,
RDS (ON) =9.5mΩ (Type) @ VGS=10V
RDS (ON) =15mΩ (Type) @ VGS=4.5V
• Super High Dense Cell Design
• Reliable and Rugged
• 100% avalanche tested
SOP-8
• Lead Free and Green Available
Applications
• Power Management in Notebook
Computer, and DC-DC Converters in
Networking Systems.
N-Channel MOSFET
Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter Rating Unit
Common Ratings (T =25°C Unless Otherwise Noted)
A
VDSS Drain-Source Voltage 30
V
VGSS Gate-Source Voltage ±20
TJ Maximum Junction Temperature 150 °C
TSTG Storage Temperature Range -55 to 150 °C
I Diode Continuous Forward Current T =25°C 12 A
S C
Mounted on Large Heat Sink
IDP 300μs Pulse Drain Current Tested T =25°C A
C 48
T =25°C 12
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