最新常用半导体器件.ppt

当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 当UGS=UGS(th)时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在UDS的作用下形成iD. 2、N沟道增强型MOS场效应管工作原理 UDS iD + + - - + + - - + + + + - - - - UGS 反型层 当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论UDS之间加什么电压都不会在D、S间形成电流iD，即iD≈0。 当UGSUGS(th)时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同UDS的作用下，iD将进一步增加。 开始时无导电沟道，当在UGS?UGS(th)时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管 一方面 MOSFET是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 当UGS＞UGS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压UDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。 UDS=UDG＋UGS =－UGD＋UGS UGD=UGS－UDS 当UDS为0或较小时，相当UGD＞UGS(th) ，此时UDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。在UDS作用下形成ID。 另一方面，漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 当UDS增加到使UGD=UGS(th)时， 当