晶体材料的结构及缺陷创新.pptVIP

外来质点进入 晶体而产生 杂质缺陷： ? 破坏 规则排列 周期势场 非化学计量缺陷 TiO2-x（x=0~1），n型半导体 各种氧化物高温超导材料Y-Ba-Cu-O等。 生成 n 型或 p 型半导体的重要基础。 举例：固体氧化物燃料电池与点缺陷 O2 H2 ZrO2 阳极反应： 阴极反应： 总： ---加快质点的扩散迁移 若燃料气体为天然气，电极方程式如下： 阳极反应： 阴极反应： 总反应： O2 CH4 ZrO2 O2 H2 ZrO2 O2-在两侧浓度差驱动力作用下，通过电解质中的 定向移动，在阳极上与燃料进行氧化反应。 如何提高ZrO2的离子传输能力？ 对ZrO2进行离子掺杂 提高离子导电能力 掺杂13%CaO 掺杂8%Y2O3 荧光强度降低 反应速率常数增大 正刃型位错 负刃型位错 半原子面与 滑移面的关系 位错缺陷： 螺型位错 A B C D BC线以右为已滑移区，以左为未滑移区。 螺形位错示意图 BC线两侧的上下两层原子都偏离了平衡位置，围绕着BC连成了一个螺旋线. 左旋 : 右旋: 右手法则 左手法则 面缺陷 特定表面上晶体的平移对称性间断。 材料的表面 晶界 相界 晶体的表面 表面悬空键 石墨烯片层示意图 层状结构的晶体材料？… 硫化物、氧化钒… 体相原子 表面原子 悬空键 悬空键的存在，导致表面原子偏离正常位置，并