ldo线性稳压源管理芯片设计.pdfVIP

上海大学硕士学位论I：2= 摘 要 随着半导体终端产品朝向轻薄短小、数字化和整合多功能三大趋势发展，模 拟领域的电源管理Ic的地位变得越来越重要，并成为半导体厂商争相竞逐的主战 场。作为电源管理的重要一员，低压差(LDO)线性稳压电源管理Ic在便携设备 中的应用也越来越广泛，并且正不断向低成本、低功耗、低噪音、高效率、高电 源抑制比(PSRR)等方向发展。基于此，本论文采用O．6umcMOS工艺设计一种 LDO线性稳压电源管理芯片。该芯片的外围电路简单，主要应用于近年来销售量 直线上升的蜂窝电话、笔记本电脑及数码相机等便携设备中，具有广阔的市场前 景。 论文首先论述了线性稳压电源的基本原理，以此为基础对系统设计进行整体 考虑，构建了系统整体架构，并制定了芯片的设计指标。利用小信号分析的方法 对系统稳定性进行了分析讨论，根据系统稳定性原理，采用电容反馈补偿措施以 确保系统稳定可靠。 根据设计指标，论文详细设计了芯片内部电路模块，包括：带隙基准电压源、 误差放大器、过热保护、过流保护和使能电路等，通过综合比较晶体管的性能， 确定调整管的类型。在基准电压源设计中，采用了电流相加的新型电路结构，使 输}}；基准电压不仅具有良好的温度特性和电源电压抑制特性，而且克服了传统电 路结构电压基准源的输出电压不能改变的缺点，提高了模块的可移植性，并充分 考虑了低电压低功耗设计；在过热保护电路设计中，采用温度迟滞系统，克服了 单温度保护点电路易受温度变化误触动的缺点。 借助cadencespectre仿真软件完成仿真验证，实验结果表明，该系统在正 常工作时，能得到3v稳定的输出电压，压降仪为150mV；在1K时电源抑制比 为65．55dB，在lOK时L乜源抑制比为50dB；在温度范围(一30℃～90℃)内系统能 保持良好的稳定性，达到了设计要求。并完成了主要电路模块的版图设计与验 证。 关键词：LDO电源管理基准电压源线性稳压器 V 上海大学碗一L学化论文 ABSTRACT ofsemiconductormakeselectronic Theadvancement techn0109y products a ICin andversatile．As becomethinneL result，thepowermanagement lighte‘digitaI the is andmoreandmore with important popular analog行eldbecominggradually semiconductor an memberof competitors．Asimportant powermanagement，the oflow isalso powermanagement appIicationdropoutvoltage(LDO)linearregulated itis tolow andmore in cost， more deVeloping widespreadportableequipments．