cmos低电压性能混频器的设计.pdf

摘要 随着c∞sRFIc的快速发展，使得射频、中频和基带集成在同一块芯片 中成为可能。在无线局域网的RF前端电路中，混频器是非常重要的部分，它 影响相邻电路和接收机的整体性能。在本论文中，我们的主要工作是在吉尔 cell Mixer)的原型上，设计了一种可以工作在低电 伯特混频器(Gilbert 压下具有优良性能的新型混频器。 为了达到低电压高性能的目的，我们对传统的吉尔伯特混频器做了两方 面的改避。一方面我们引入了一种新的低电压结构，这种低电压结构由电容 和电感所组成的共振电路以及耦合电容构成，采用这种结构可以有效地降低 整个电路的供电电压，在其它的一些电路中也可以采用这种结构，比如低噪 声放大器。另一个方面，我们对吉尔伯特混频器的跨导级做了调整，引入了 新的跨导单元结构，即用三个差分对取代原来电路的一个差分对，这样敞的 结果是提高了混频器的跨导，从而提高了整个电路的增益和线性度。所以， 提高增益和线性度意味着提高混频器的性能，同时降低了供电电压意味着降 低功率消耗，也就是说，在移动设备中用同样的电池可以延长使用时间。 O．35unl 本论文的混频器使用NEc CM0s工艺。射频频率为2．4GHz，本振 频率为2．2GHz，中频频率为200心z。仿真结果得到的转换增益为7．48dB，1dB 压缩点为一3．4dBⅢ，输入三阶截断点为8．2dBm，供电电压为2．5V，噪声系数 为12．4dB，消耗功率为儿．8mW。 关键词：混频器，射频，低电压，高增益 AbStract of RFIC makesthefabrication The ofCMoS system develODment design ona ofradio frequency frequency(RD，intermediate chip(soC)，consisting isthe baseband bereaIizabIe．Mixermost (1F)，and frequency，to important the receivers．The ofthemixerafcts blockjnWLANfront-end performance rece沁er of bIocksa玎dtheoveralI main adjacent performance．Thepurpose mixert0demonstrateIower witll proposedis VoItageapplicationhigher conVersionand basedonthetraditionalGjlbertmixer gain linearity， prototype． ‘110achieVethjs tradit