全集成cmos频功率放大器.pdfVIP

摘 要 无线通信市场激烈 的竞争不仅要求无线通信系统完成基本通信功能 ，更对其提 出了低成本、高效率及高可靠性等性能要求 [1 丨。因此，采用CM O S 工艺将无线收 发机更多模块集成在一个 芯片上逐惭成为无线通信技术 的发展趋势 。然而 ，单片 集成无线 收发机主要难 点之一是 C M O S 工艺下大输 出功率 、高效率和 高线性度射 频 功率放 大器 的设计 。尤 其在 深 亚微 米 时代 ，低 电源 电压 、低 的 晶体 管击 穿 电压 以及较高 的衬底损耗进一步增加 了片上 C M O S 功放设计 的难度 。无线通信协议如 IE EE W LA N 802.11g, 常采用 O FD M 调制，大大扩充了系统容量和性能，然而其 具有较大 的信号峰均 比，一般情况 下要求功放 工作状态 比饱和功率 回退 （back-off) 更 多 ，从而对 功放线性度及饱和功率要求更加严 格 ，给 实际设计 带来更大挑 战 。 本文致力于研 究一款应用于 2.4G H z IE E E W LA N 802.11g 无线通信系统全集 成 C M O S 射频 功率放大器 。首先 ，重 点研 究 了基 于变 压 器 的阻抗变换 网络 ，并 设 计 了并联形式功率合成变压器 ，完成输 出端 阻抗 匹配 。其次 ，详细分析 了功率合 成变压 器 中当部 分 支路 关 闭时效率恶化 情况 ，通 过 关 闭部分 晶体 管 的方法进 行 功 率控制 ，有效避 免 因为部 分支路关 闭引起 的功率泄漏 ，提高 了变压器 的整体 效率 。 利用 P M O S 与 N M O S 晶体 管栅 电容随栅 电压相 反 的变化趋势 ，在输入 管栅极 并联 一个 P M 〇S 管使 总 的等效输入 电容随 电压变化更加 平缓 ，减 小 A M -P M 失真 ； 同 时输 入端 由两 个 偏 置在 不 同状 态 的 晶体 管 并联 组 成 ， C lass A 晶体 管增 益 压 缩 特 性与 C lass B 增益扩展特性相互补偿 ，改善 了 A M -A M 失真 ，从而提高 了功放 的线 性度 。最后 ，本文讨论 了功放 的稳定性及 系统设计方法 ，并具体研 究 了输 出级功 率 管 的设计 。 芯片釆用一种标准 65nm C M O S 工艺设计实现 ，饱和输 出功率大于 21dfim ，增 益 2QdB , 最大功率增加效率大于 15% 。在 IE E E 802.11g O F D M 64-Q A M 调制信 号激励 下 ， 输 出功率 时 E V M 为-25dB 。测试 结果验证 了本文 的观 点 ，并可 为将 来 C M O S 射频功放 实 际应 用 作 以参考 。 关键词 ： C M O S , 变压 器 ，功 率放大 器 ，线性度 ，效率 中 图分类 号 ：T N 4 A b st r a c t T he in ten se com p etition in w ireless com m un ication m arket n ot on ly urges th e w ireless sy stem s w ith b asic fun ction s, bu t a lso dem an ds low cost, p ow er efficien t and high reliability [1]. It is a trend integrating as m any com ponents as possible in w ireless system s in an inexp ensive technology, such as C M O S technologies. H ow ? ever, the im p lem en tation of h igh ou tput pow er, h igh efficiency and h igh linearity C M O S R F p ow er am p lifiers (PA s) rem ains a form idab le challenge, esp ecially in deep-nanom eter technologies. A lso low supp ly voltage, low breakdow n voltage of th in gate ox ide in devices an d h igh