器件仿真工具(DESSIS)的模型分析精要.pptVIP

下图是在常温下四种雪崩离化模型的电子和空穴电离系数 随电场的变化曲线，从图中可以看出vanOverstraeten- deMan模型、Lackner模型、Unibo模型的曲线比较吻合，而 Okuto模型显示的击穿临界电场明显比其他三种模型高。 如果一个PN结的空间电荷区宽度超过电子和空穴的平 均自由程，当外界加一个很大的反向偏压时，在空间电荷区 内产生很大的电场，当电场强度超过一定值，空间电荷区内 的电子和空穴获得足够大的能量，在与晶格碰撞的时候就能 把价键上的电子碰撞出来，形成导电电子，并留下一个空穴， 这就是雪崩倍增效应。这一过程中，载流子的平均自由程的 倒数叫做电离系数（α）。载流子的生成速率可以表示为： */39 * 浙大微电子 在DESSIS中描述雪崩倍增效应的模型（主要是 描述电离系数和电场以及温度的关系）有四种： vanOverstraeten-deMan模型 OkutoCrowell模型 Lackner模型 Unibo模型 */39 * 浙大微电子 下图是在常温下四种雪崩离化模型的电子和空穴电离系数 随电场的变化曲线，从图中可以看出vanOverstraeten- deMan模型、Lackner模型、Unibo模型的