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化学气相沉积法制备优-Fe203薄膜及其性能测试——推荐一个材料化学实验.pdf
第30卷 第3期 摇 摇 大 学 化 学 Vol.30 No.3
摇 2015年6月 UNIVERSITY CHEMISTRY Jun.2015 摇
doi:10.3866/ pku.DXH
化学气相沉积法制备琢鄄FeO 薄膜及其性能测试*
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———推荐一个材料化学实验
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刘斌 摇 杨建辉
(西北大学化学与材料科学学院合成与天然功能分子化学教育部重点实验室摇 陕西西安710069)
摇 摇 摘要摇 以配合物乙酰丙酮铁为前驱体,利用超声雾化的方法进行化学气相沉积制备琢鄄Fe O 薄膜,并对
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其结构和性能进行测试表征。
摇 摇 关键词摇 超声雾化摇 琢鄄Fe O 薄膜摇 化学气相沉积(MOCVD)
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摇 摇 中图分类号摇 O6;G64
Characterization of琢鄄Fe O Film Prepared by MOCVD Method*
2 3
**
Liu Bin 摇 Yang Jianhui
(Key Laboratory of Synthetic andNatural FunctionalMolecule Chemistry of Ministry of Education,
College of Chemistry Materials Science,Northwest University,Xi忆an710069,Shaanxi,China)
摇 摇 Abstract摇 UsingFe(acac) (acac=acetylacetone)asthesolidsource,琢鄄Fe O thinfilmwaspreparedbymetal
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organic chemistry vapour deposition (MOCVD)methodwithultrasonicnebulizationdevice. The structural,electrical
and optical properties of thefilm were characterized.
摇 摇 Key Words摇 Ultrasonic nebulization;琢鄄Fe O thin film;Chemical vapor deposition
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摇 摇 化学气相沉积(CVD)技术是利用气态的先驱反应物,通过原子、分子间化学反应的途径生成固态
薄膜的技术,具有沉积温度低、涂层质量均匀、绕镀性好以及膜基结合力强等优点;而且工艺简单、操作
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简便,在功能膜材料制备领域广泛采用 。 CVD大多是在相对较高的气压下进行的。 高压有助于提
高薄膜的沉积速率。 在用CVD法制备薄膜时,一般会有相应的辅助手段来促进化合物分解,加快化学
反应。 根据分解方式和辅助技
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